| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| ·紫外光的基本介绍及波长性质 | 第7-8页 |
| ·紫外探测技术概述及国内外研究现状 | 第8-10页 |
| ·宽禁带半导体紫外探测技术概述 | 第10-16页 |
| ·本论文选题依据和主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 NiO薄膜的性质和薄膜制备工艺 | 第18-26页 |
| ·NiO的性质 | 第18页 |
| ·NiO薄膜的性质 | 第18-19页 |
| ·NiO薄膜的制备工艺 | 第19-26页 |
| 第三章 射频磁控溅射法制备NiO薄膜 | 第26-34页 |
| ·射频反应磁控溅射法的工作原理 | 第26-29页 |
| ·射频反应磁控溅射法制备NiO薄膜实验过程 | 第29-34页 |
| 第四章 射频溅射制备NiO薄膜特性研究 | 第34-42页 |
| ·溅射压强对NiO薄膜性质的影响 | 第34-36页 |
| ·溅射功率对NiO薄膜性质的影响 | 第36-39页 |
| ·氧氩比对NiO薄膜性质的影响 | 第39-42页 |
| 第五章 基于NiO薄膜的pn结型紫外探测器的基础研究 | 第42-47页 |
| ·基于NiO薄膜的原理器件结构 | 第42页 |
| ·器件的金属欧姆电极的研究 | 第42-45页 |
| ·器件的光敏特性测试 | 第45-47页 |
| 第六章 结论 | 第47-48页 |
| 在读期间参与课题和发表文章 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |