| 摘要 | 第1-13页 |
| ABSTRACT | 第13-17页 |
| 符号表 | 第17-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-40页 |
| §1.1 概述 | 第19-20页 |
| §1.2 SnO_2 薄膜的性质及应用 | 第20-24页 |
| ·结构性质 | 第20-21页 |
| ·光学性质 | 第21-22页 |
| ·电学性质 | 第22-24页 |
| ·SnO_2薄膜的应用 | 第24页 |
| §1.3 SnO_2薄膜的制备方法 | 第24-27页 |
| §1.4 SnO_2薄膜的研究现状 | 第27-34页 |
| §1.5 研究课题的选取 | 第34-36页 |
| 本章参考文献 | 第36-40页 |
| 第二章 实验设备及测试方法 | 第40-52页 |
| §2.1 金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第40-46页 |
| ·MOCVD的原理及特点 | 第40-41页 |
| ·MOCVD系统 | 第41-43页 |
| ·本论文使用的MOCVD系统 | 第43-45页 |
| ·实验流程 | 第45-46页 |
| §2.2 测试分析方法 | 第46-51页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第46-47页 |
| ·薄膜结构的分析方法 | 第47-48页 |
| ·薄膜电学性质的测量 | 第48-49页 |
| ·薄膜光学性质的测量 | 第49-51页 |
| 本章参考文献 | 第51-52页 |
| 第三章 碳化硅衬底SnO_2薄膜的制备及性质研究 | 第52-64页 |
| §3.1 碳化硅衬底的选取及氧化锡薄膜的制备 | 第52-53页 |
| §3.2 SnO_2 薄膜的成分分析 | 第53-54页 |
| §3.3 衬底温度对SnO_2薄膜结构性质的影响 | 第54-56页 |
| §3.4 SnO_2薄膜的外延取向及微观结构 | 第56-60页 |
| §3.5 SnO_2薄膜的电学和光学性质 | 第60-63页 |
| 本章参考文献 | 第63-64页 |
| 第四章 蓝宝石衬底SnO_2薄膜的制备及性质研究 | 第64-92页 |
| §4.1 蓝宝石衬底的选取及介绍 | 第64-65页 |
| §4.2 R面蓝宝石衬底SnO_2 薄膜的性质研究 | 第65-75页 |
| ·衬底温度对SnO_2薄膜结构性质的影响 | 第65-70页 |
| ·衬底温度对SnO_2薄膜电学性质的影响 | 第70-71页 |
| ·衬底温度对Sn02薄膜光学性质的影响 | 第71-75页 |
| §4.3 A面蓝宝石衬底SnO_2薄膜的性质研究 | 第75-82页 |
| ·X射线衍射分析 | 第75-77页 |
| ·微结构分析 | 第77-82页 |
| §4.4 M面蓝宝石衬底SnO_2薄膜的性质研究 | 第82-87页 |
| ·SnO_2薄膜的结构及外延取向 | 第82-85页 |
| ·SnO_2薄膜的光学性质 | 第85-87页 |
| §4.5 SnO_2薄膜在蓝宝石衬底上外延生长的结构模型 | 第87-90页 |
| 本章参考文献 | 第90-92页 |
| 第五章 Sb掺杂SnO_2薄膜的制备及性质研究 | 第92-110页 |
| §5.1 SnO_2:Sb薄膜的制备 | 第92-93页 |
| §5.2 R面蓝宝石衬底上SnO_2 :Sb薄膜的性质研究 | 第93-102页 |
| ·掺杂浓度对薄膜结构性质的影响 | 第93-98页 |
| ·掺杂浓度对薄膜电学性质的影响 | 第98-101页 |
| ·掺杂浓度对薄膜光学性质的影响 | 第101-102页 |
| §5.3 碳化硅衬底上SnO_2:Sb薄膜的性质研究 | 第102-109页 |
| ·掺杂浓度对薄膜结构性质的影响 | 第102-106页 |
| ·掺杂浓度对薄膜电学性质的影响 | 第106-109页 |
| 本章参考文献 | 第109-110页 |
| 第六章 结论 | 第110-112页 |
| 博士期间发表论文目录 | 第112-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| Paper 1 | 第116-127页 |
| Paper 2 | 第127-138页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第138页 |
