| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·引言 | 第11-13页 |
| ·InAlN 材料的结构特征和相关物理参数 | 第13-16页 |
| ·Ⅲ族氮化物的基本物理特征 | 第13-15页 |
| ·InAlN 材料的基本特性 | 第15-16页 |
| ·InAlN/GaN 异质结的研究进展 | 第16-19页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结构发展状况和研究进展 | 第17-18页 |
| ·InAlN/GaN 材料的发展状况和研究进展 | 第18-19页 |
| ·本文的研究意义和内容安排 | 第19-23页 |
| 第二章 InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料基本理论 | 第23-39页 |
| ·InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料极化理论 | 第23-25页 |
| ·InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料的 2DEG 理论 | 第25-29页 |
| ·InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料的一维泊松方程自洽仿真 | 第29-38页 |
| ·一维薛定谔-泊松方程自洽仿真的数学物理模型 | 第29-31页 |
| ·InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料的一维薛定谔-泊松方程仿真结果 | 第31-35页 |
| ·InAlN/AlN/GaN 和 AlGaN/AlN/GaN 材料的一维薛定谔-泊松方程仿真结果 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料的生长和表征 | 第39-57页 |
| ·InAlN/GaN 材料样品制备 | 第39-40页 |
| ·InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料的质量表征 | 第40-49页 |
| ·InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料 HRXRD 表征 | 第40-43页 |
| ·InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料的拉曼散射光谱 | 第43-45页 |
| ·InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料的 XRR 测量和拟合 | 第45-46页 |
| ·InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料的表面形貌表征 | 第46-49页 |
| ·InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料的电学特性表征 | 第49-55页 |
| ·InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料的 C-V 测试 | 第49-52页 |
| ·InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料的变温 Hall 测试 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料 2DEG 迁移率的研究 | 第57-75页 |
| ·InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料 2DEG 迁移率的理论模型 | 第57-60页 |
| ·InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料 2DEG 迁移率理论分析 | 第60-70页 |
| ·InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料 2DEG 迁移率与温度的关系 | 第60-63页 |
| ·InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料 2DEG 迁移率与 In 组分的关系 | 第63-66页 |
| ·InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料 2DEG 迁移率与 InAlN 势垒层厚度的关系 | 第66-68页 |
| ·AlN 插入层厚度对 InAlN/AlN/GaN 材料 2DEG 迁移率的影响 | 第68-70页 |
| ·InAlN/GaN 和 InAlN/AlN/GaN 材料 2DEG 迁移率和面密度的关系 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-75页 |
| 第五章 总结 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第85-86页 |
