| 目录 | 第1-10页 |
| CONTENTS | 第10-14页 |
| 摘要 | 第14-18页 |
| ABSTRACT | 第18-22页 |
| 符号说明 | 第22-24页 |
| 第一章 绪论 | 第24-64页 |
| ·自旋电子学 | 第26-31页 |
| ·自旋电子学简介 | 第26-27页 |
| ·自旋注入及输运 | 第27-31页 |
| ·有机自旋电子学 | 第31-41页 |
| ·有机半导体特性 | 第32-34页 |
| ·有机自旋电子学器件发展 | 第34-41页 |
| ·有机自旋电子学中的铁磁材料 | 第41-52页 |
| ·有机自旋电子学器件的铁磁电极材料 | 第41-48页 |
| ·过渡金属掺杂有机小分子半导体的磁性和结构 | 第48-52页 |
| ·拟展开的研究内容 | 第52-55页 |
| 参考文献 | 第55-64页 |
| 第二章 样品制备、测试及理论计算方法 | 第64-84页 |
| ·实验材料 | 第64-67页 |
| ·有机小分子和过渡金属 | 第64-65页 |
| ·LSMO靶材 | 第65-67页 |
| ·实验设备 | 第67-71页 |
| ·真空热蒸发镀膜设备 | 第67-69页 |
| ·MS350型高真空磁控溅射台 | 第69-70页 |
| ·薄膜厚度监控 | 第70-71页 |
| ·测试方法 | 第71-77页 |
| ·表面形貌分析 | 第71-72页 |
| ·结构和成分分析 | 第72-75页 |
| ·磁性测量 | 第75-76页 |
| ·电输运测量 | 第76-77页 |
| ·第一性原理和密度泛函理论 | 第77-83页 |
| ·绝热近似 | 第77-78页 |
| ·哈特利-福克近似 | 第78-79页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第79-80页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第80-81页 |
| ·VASP软件包简介 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-84页 |
| 第三章 有机自旋电子学器件中LSMO铁磁电极的性质研究 | 第84-98页 |
| ·引言 | 第85-86页 |
| ·实验方法和细节 | 第86页 |
| ·结果和讨论 | 第86-94页 |
| ·小结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-98页 |
| 第四章 锰掺杂八羟基喹啉镓薄膜中的分子和电子结构研究 | 第98-114页 |
| ·引言 | 第99-100页 |
| ·计算方法和细节 | 第100页 |
| ·实验方法 | 第100-101页 |
| ·结果与讨论 | 第101-111页 |
| ·Mn掺杂Gaq_3孤立分子的分子结构和电子性质计算 | 第101-108页 |
| ·Mn掺杂Gaq_3薄膜中的结构和光学性质 | 第108-111页 |
| ·小结 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-114页 |
| 第五章 XAFS光谱测定过渡金属-八羟基喹啉金属配合物的结构 | 第114-130页 |
| ·引言 | 第115-116页 |
| ·实验方法和细节 | 第116-117页 |
| ·计算方法和细节 | 第117页 |
| ·荧光XAFS方法分析Mn-Gaq_3薄膜中的结构 | 第117-123页 |
| ·变角度掠入射XAFS方法分析Alq_3-Co界面的结构信息 | 第123-126页 |
| ·小结 | 第126-127页 |
| 参考文献 | 第127-130页 |
| 第六章 锰掺杂八羟基喹啉铝中的磁性 | 第130-142页 |
| ·引言 | 第130-131页 |
| ·计算细节 | 第131页 |
| ·结果和讨论 | 第131-138页 |
| ·小结 | 第138-139页 |
| 参考文献 | 第139-142页 |
| 第七章 总结 | 第142-148页 |
| ·主要结论 | 第143-146页 |
| ·主要创新点 | 第146-148页 |
| 附图、表目录及说明 | 第148-154页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文和申请专利目录 | 第154-156页 |
| 致谢 | 第156-158页 |
| 附录：发表英文论文 | 第158-167页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第167页 |
