| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·GaN 材料特点及其应用 | 第9-10页 |
| ·GaN 材料和器件的发展以及研究现状 | 第10-12页 |
| ·透明栅 AlGaN/GaN HEMT 器件 | 第12-13页 |
| ·本文主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT 的基本理论 | 第15-23页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结材料特性 | 第15-17页 |
| ·AlGaN/GaN 材料结构 | 第15页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结二维电子气的产生 | 第15-17页 |
| ·金属和 AlGaN/GaN 结构的肖特基结 | 第17-19页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 基本工作机理 | 第19-22页 |
| ·直流特性 | 第20-21页 |
| ·频率特性 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 透明栅 AlGaN/GaN 器件的制备及其特性分析 | 第23-39页 |
| ·AlGaN/GaN 器件的制备 | 第23-28页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的材料结构特性 | 第23页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件制备的关键工艺 | 第23-25页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件工艺流程 | 第25-28页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件基本特性分析 | 第28-37页 |
| ·器件欧姆特性 | 第28-31页 |
| ·器件的肖特基特性 | 第31-36页 |
| ·器件的直流特性 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 透明栅 AlGaN/GaN HEMT 器件特性分析 | 第39-51页 |
| ·退火对器件特性的影响 | 第39-42页 |
| ·退火对器件肖特基特性的影响 | 第39-41页 |
| ·退火对器件直流特性的影响 | 第41-42页 |
| ·紫外光照对器件特性的影响 | 第42-45页 |
| ·紫外光照对器件直流特性的影响 | 第42-44页 |
| ·器件的栅延迟特性 | 第44-45页 |
| ·器件电学可靠性分析 | 第45-49页 |
| ·开态应力下器件特性分析 | 第45-47页 |
| ·关态应力下器件特性分析 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 结束语 | 第51-53页 |
| ·本文的主要工作 | 第51-52页 |
| ·未来的工作 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
