| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-21页 |
| ·CMOS集成电路的发展历史 | 第11页 |
| ·MOSFET集成电路的发展和挑战 | 第11-12页 |
| ·高k栅介质材料的发展 | 第12-16页 |
| ·高k栅介质材料替代SiO_2的原则和要求 | 第14-15页 |
| ·高k栅介质材料的研究现状 | 第15-16页 |
| ·沟道材料 | 第16-18页 |
| ·界面钝化 | 第18-19页 |
| ·界面控制层法 | 第18页 |
| ·界面控制层材料选择原则和要求 | 第18-19页 |
| ·Al_2O_3作为界面控制层的原因 | 第19页 |
| ·氮化法 | 第19页 |
| ·选题依据和意义 | 第19-20页 |
| ·本论文研究内容 | 第20-21页 |
| 2 制备方法与表征技术 | 第21-30页 |
| ·薄膜的制备技术 | 第21-25页 |
| ·磁控溅射制备技术 | 第21-23页 |
| ·原子层沉积技术 | 第23-25页 |
| ·快速热处理技术 | 第25页 |
| ·光刻技术 | 第25-26页 |
| ·表征方法 | 第26-30页 |
| ·XRD | 第26页 |
| ·HRTEM | 第26-27页 |
| ·XPS | 第27-28页 |
| ·I-V | 第28-29页 |
| ·C-V | 第29-30页 |
| 3 退火温度对GDH薄膜电性能的影响 | 第30-41页 |
| ·实验过程 | 第30-34页 |
| ·靶材制备 | 第30页 |
| ·衬底清洗 | 第30-31页 |
| ·氧化层薄膜制备 | 第31-32页 |
| ·退火处理 | 第32页 |
| ·电极制备 | 第32-34页 |
| ·退火温度对GDH薄膜电性能的影响 | 第34-40页 |
| ·Gd_2O_3掺杂对HfO_2结晶温度的影响 | 第34-35页 |
| ·N_2退火对Si/GDH堆栈层薄膜成分的影响 | 第35-37页 |
| ·不同N_2退火温度对Ag/Si/GDH/Pt堆栈层电性能的影响 | 第37-40页 |
| ·Si/GDH堆栈层等效氧化层厚度计算 | 第40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 4 Al_2O_3界面控制层对Ag/Si/GDH/Pt堆栈层界面和电性能的影响 | 第41-49页 |
| ·实验过程 | 第41-43页 |
| ·Al_2O_3界面控制层对Si/GDH堆栈层界面影响 | 第43-44页 |
| ·Al_2O_3界面控制层对Si/GDH界面成分的影响 | 第44-46页 |
| ·Al_2O_3界面控制层对Si/GDH堆栈层电学性能影响 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 5 两种钝化法对Al/Ge/GDH/Ti/Au堆栈层界面和电性能的影响 | 第49-61页 |
| ·沉积前氨气处理对Al/Ge/GDH/Ti/Au堆栈层的界面钝化作用 | 第49-55页 |
| ·靶材制备 | 第49页 |
| ·基片清洗 | 第49-50页 |
| ·薄膜沉积 | 第50-51页 |
| ·沉积前衬底氨气处理对Ge衬底表面薄膜成分的影响 | 第51-53页 |
| ·沉积前衬底氨气处理对Ge/GDH堆栈层界面的影响 | 第53页 |
| ·沉积前衬底氨气处理对Al/Ge/GDH/Ti/Au堆栈层电性能的影响 | 第53-55页 |
| ·Al_2O_3界面控制层对Al/Ge/GDH/Ti/Au堆栈层的界面钝化作用 | 第55-59页 |
| ·Al_2O_3界面控制层的制备 | 第55-56页 |
| ·Al_2O_3界面控制层对Ge/GDH堆栈层界面结构的影响 | 第56页 |
| ·Al_2O_3界面控制层对Ge/GDH堆栈层界面成分影响 | 第56-58页 |
| ·Al_2O_3界面控制层对Al/Ge/GDH/Ti/Au堆栈层电性能的影响 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
