| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 插图索引 | 第12-14页 |
| 附表索引 | 第14-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-26页 |
| ·引言 | 第15-20页 |
| ·TiO_2光催化性能的研究进展 | 第20-23页 |
| ·氧化物半导体磁性研究进展 | 第23-25页 |
| ·本文研究内容与框架 | 第25-26页 |
| 第2章 理论与方法 | 第26-45页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·半导体掺杂理论 | 第26-30页 |
| ·光催化原理 | 第30-31页 |
| ·自旋电子的产生 | 第31-36页 |
| ·第一性原理计算 | 第36-45页 |
| ·第一性原理基本思想 | 第36-39页 |
| ·密度泛函理论 | 第39-43页 |
| ·第一性原理方法的具体实现 | 第43-45页 |
| 第3章 晶格畸变与耦合方式对氧八面体中3d~6离子磁能级的影响 | 第45-65页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·计算模型与方法 | 第45-51页 |
| ·计算结果与讨论 | 第51-64页 |
| ·几种氧八面体材料的电子结构 | 第51-54页 |
| ·晶格畸变对3d~6离子磁能级的影响 | 第54-58页 |
| ·耦合方式对3d~6离子磁能级的影响 | 第58-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 第4章 表面悬挂键的自旋极化与钝化及对3d~6离子磁能级的影响 | 第65-80页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·计算模型与方法 | 第66-67页 |
| ·计算结果与讨论 | 第67-78页 |
| ·氧化铟纳米晶表面悬挂键钝化及自旋极化 | 第67-70页 |
| ·Ni掺杂SnO_2纳米线的电子结构 | 第70-76页 |
| ·表面悬挂键对材料光学性质的影响 | 第76-78页 |
| ·小结 | 第78-80页 |
| 第5章 TiO_2的钝化共掺杂及其能带调控机理研究 | 第80-90页 |
| ·引言 | 第80-82页 |
| ·计算模型与方法 | 第82页 |
| ·计算结果与讨论 | 第82-88页 |
| ·钝化共掺杂提高Tio_2光催化效率 | 第82-85页 |
| ·钝化群掺杂稳定TiO_2空穴磁矩 | 第85-88页 |
| ·小结 | 第88-90页 |
| 总结与展望 | 第90-92页 |
| 参考文献 | 第92-104页 |
| 附录A 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第104-105页 |
| 致谢 | 第105页 |
