| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第1章 综述 | 第9-25页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·GaN薄膜的基本性质 | 第10-12页 |
| ·GaN结构与物化性质 | 第10-11页 |
| ·GaN的能带结构及光学特性 | 第11-12页 |
| ·GaN生长设备及生长技术 | 第12-15页 |
| ·MOCVD设备及技术简介 | 第12-14页 |
| ·硅衬底GaN简介 | 第14-15页 |
| ·SIMS设备及原理 | 第15-16页 |
| ·GaN的掺杂及杂质 | 第16-21页 |
| ·GaN中的本征缺陷 | 第17-18页 |
| ·GaN的n型掺杂 | 第18-20页 |
| ·GaN的p型掺杂 | 第20-21页 |
| ·GaN的非故意掺杂杂质 | 第21页 |
| ·本论文的研究内容与行文安排 | 第21页 |
| 参考文献 | 第21-25页 |
| 第2章 MOCVD生长条件对GaN中C浓度的影响 | 第25-47页 |
| ·引言 | 第25-26页 |
| ·C在GaN中的来源及存在形式 | 第26-28页 |
| ·实验 | 第28-29页 |
| ·结果与讨论 | 第29-45页 |
| ·Ⅴ/Ⅲ比对C污染的影响 | 第29-32页 |
| ·载气对C污染的影响 | 第32-38页 |
| ·气压对C污染的影响 | 第38-40页 |
| ·有机源对C污染的影响 | 第40-43页 |
| ·温度对C污染的影响 | 第43-44页 |
| ·生长速率对C污染的影响 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第3章 MOCVD生长条件对GaN中H、 O浓度的影响 | 第47-60页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·H、O在GaN中的来源及存在形式 | 第47-49页 |
| ·H在GaN中的来源及存在形式 | 第47-48页 |
| ·O在GaN中的来源及存在形式 | 第48-49页 |
| ·实验 | 第49-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-58页 |
| ·Mg对H浓度的影响 | 第50-52页 |
| ·退火对H浓度的影响 | 第52-54页 |
| ·载气对H浓度的影响 | 第54-55页 |
| ·有机源对H浓度的影响 | 第55-56页 |
| ·有机源对O浓度的影响 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 第4章 结论 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |