晶体相场方法研究晶体外延生长界面结构与位错的迁移

摘要	第1-6页
ABSTRACT	第6-11页
第一章 绪论	第11-19页
·异质外延生长研究进展	第11-13页
·计算机模拟的特征及意义	第13-14页
·显微组织的计算及模拟方法	第14-16页
·微结构模拟方法简述	第14-15页
·几种模拟方法区别	第15-16页
·晶体相场方法模拟微观结构演化进展	第16-18页
·问题的提出和研究的主要内容	第18-19页
第二章 晶体相场方法	第19-24页
·晶体相场模型的自由能	第19-21页
·单模近似解	第19-21页
·数值计算与可视化	第21-22页
·程序流程图	第22-24页
第三章 平直基底异质外延生长界面演化	第24-38页
·不同过冷度下外延生长过程界面形态演化	第24-31页
·过冷度对外延层界面形态的影响	第24-29页
·过冷度对外延层中失配位错的影响	第29-30页
·过冷度对外延层生长率的影响	第30-31页
·不同错配度外延生长界面形态演化	第31-32页
·错配度对外延层的影响	第31页
·错配度对外延层临界高度的影响	第31-32页
·不同基底倾角的外延生层生长特征	第32-34页
·外延层生长取向的变化	第33页
·基底倾角对外延层固-液界面的影响	第33-34页
·外延层生长过程中位错的行为	第34-36页
·基底倾角对外延层位错的影响	第34-35页
·外延层生长区内位错迁移	第35-36页
·小结	第36-38页
第四章 晶体相场法模拟弧形基底异质外延生长	第38-44页
·凸出型基底外延生长模拟	第38-41页
·不同曲率半径对外延层的影响	第38-39页
·不同错配度对外延层生长的影响	第39-41页
·凹型基底外延生长模拟	第41-43页
·曲率半径对外延层的影响	第41-42页
·不同错配度对外延层的影响	第42-43页
·小结	第43-44页
第五章 总结	第44-45页
参考文献	第45-50页
致谢	第50-51页
攻读硕士学位期间发表的学术论文	第51页