| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| ·研究背景 | 第9页 |
| ·国内外研究进展 | 第9-11页 |
| ·本论文的主要内容及安排 | 第11-13页 |
| 第2章 连续激光辐照半导体材料的基础理论 | 第13-20页 |
| ·半导体的光吸收理论及损伤机理 | 第13-15页 |
| ·光吸收理论 | 第13-15页 |
| ·损伤机理 | 第15页 |
| ·传热的基本原理及描述 | 第15-17页 |
| ·热传导方程 | 第16-17页 |
| ·温度场的概念 | 第17页 |
| ·边界条件和初始条件 | 第17页 |
| ·热应力 | 第17-18页 |
| ·有限元方法和软件 COMSOL Multiphysics 简介 | 第18-19页 |
| ·有限元方法的基本思想 | 第18页 |
| ·软件 COMSOL Multiphysics 简介 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19-20页 |
| 第3章 连续激光辐照 GaAs 材料损伤的数值模拟计算研究 | 第20-26页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·热传导理论模型 | 第20-23页 |
| ·结果与讨论 | 第23-25页 |
| ·GaAs 材料温升分布规律 | 第23-24页 |
| ·分解损伤功率密度与辐照时间的关系 | 第24页 |
| ·热对流和热辐射对材料表面中心温度的影响 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第4章 连续激光辐照 InSb 材料的热效应分析 | 第26-32页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·理论模型 | 第26-27页 |
| ·热传导方程及初始条件、边界条件 | 第26-27页 |
| ·热应力场分布 | 第27页 |
| ·结果与讨论 | 第27-31页 |
| ·InSb 材料温升分布规律 | 第28-29页 |
| ·热应力场分布 | 第29-30页 |
| ·同种激光分别辐照半导体材料 GaAs 和 InSb | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 结论 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-37页 |
| 攻读硕士学位期间发表的的学术论文 | 第37-38页 |
| 致谢 | 第38页 |
