| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·研究意义 | 第10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-14页 |
| ·本论文工作内容 | 第14-16页 |
| 第二章 应变 Si 与应变 SiGe 基本物理特性研究 | 第16-34页 |
| ·应变 Si 与应变 SiGe 材料态密度有效质量 | 第16-19页 |
| ·应变 Si 与应变 SiGe 材料电子态密度有效质量 | 第16-17页 |
| ·应变 Si 与应变 SiGe 材料空穴态密度有效质量 | 第17-19页 |
| ·应变 Si 与应变 SiGe 材料载流子电导有效质量 | 第19-20页 |
| ·应变 Si 与应变 SiGe 材料载流子散射机制 | 第20-32页 |
| ·应变 Si 与应变 SiGe 材料空穴迁移率 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 应变材料生长动力学与系统开发 | 第34-53页 |
| ·应变与弛豫材料生长动力学 | 第34-40页 |
| ·应变与弛豫材料外延生长机理研究 | 第34-37页 |
| ·应变与弛豫材料生长动力学模型研究 | 第37-40页 |
| ·减压化学气相生长系统开发 | 第40-52页 |
| ·系统介绍 | 第41-42页 |
| ·应变层氧、碳控制 | 第42-43页 |
| ·金属沾污控制 | 第43-45页 |
| ·系统漏率及本征电阻率控制 | 第45-48页 |
| ·外延层厚度匀匀性调节 | 第48-49页 |
| ·生长速率重复性与再现性控制 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 应变 Si 与应变 SiGe 材料生长及表征 | 第53-79页 |
| ·材料生长技术 | 第53-69页 |
| ·缓冲层生长技术 | 第53-66页 |
| ·杂质外扩控制技术 | 第66-67页 |
| ·界面及颗粒控制技术 | 第67-69页 |
| ·材料表征 | 第69-78页 |
| ·和硅外延兼容的表征方法开发 | 第69-73页 |
| ·材料表征 | 第73-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 器件级应变材料应用与验证 | 第79-88页 |
| ·硅基 MOSFET 制备 | 第79-80页 |
| ·硅基应变 MOSFET | 第80-86页 |
| ·应变 Si NMOSFET | 第81-82页 |
| ·应变 Si pMOSFET | 第82-83页 |
| ·应变 Si CMOS | 第83-84页 |
| ·应变 SiGe 量子阱 PMOSFET | 第84-86页 |
| ·本章小结 | 第86-88页 |
| 第六章 结束语 | 第88-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-101页 |
| 攻博期间研究成果 | 第101-103页 |
