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ZnO基磁性半导体和多铁性氧化物异质结构的外延制备与物性研究

摘要第1-13页
ABSTRACT第13-17页
第一章 绪论第17-53页
 第一节 引言第17-18页
 第二节 自旋电子学简介第18-29页
     ·巨磁电阻和自旋阀效应第19-21页
     ·隧穿磁电阻和磁性隧道结第21-23页
     ·自旋流和自旋转移力矩效应第23-24页
     ·纷繁多样的自旋电子学材料第24-29页
 第三节 磁性隧道结和磁性半导体简介第29-34页
     ·磁性隧道结和隧穿磁电阻效应第29-31页
     ·磁性半导体第31-32页
     ·ZnO基磁性隧道结第32-34页
 第四节 多铁性材料简介第34-43页
     ·多铁性材料研究历史概要第35-36页
     ·单相多铁性材料分类第36-39页
     ·BFO研究现状第39-42页
     ·复合多铁性材料简介第42-43页
 第五节 本论文的研究动机和研究内容第43-45页
     ·(Zn,Co)0磁性半导体和磁性魅道结的研究第43-44页
     ·多铁性材料研究第44页
     ·本论文章节安排第44-45页
 参考文献第45-53页
第二章 样品的制备技术与分析测试方法第53-63页
 第一节 样品的制备技术第53-61页
     ·分子束外延(Molecule Beam Epitaxial,MBE)第54-58页
     ·磁控溅射(Magnetron Sputtering)第58-61页
 第二节 样品的分析测试方法第61-63页
第三章 (Zn,Co)O/(Zn,Mg)O/(Zn,Co)O磁性隧道结的制备及输运性质研究第63-77页
 第一节 引言第63-64页
 第二节 样品制备第64-65页
       ·衬底处理第64页
     ·(Zn,Co)O/(Zn,Mg)O/(Zn,Co)O三层膜生长第64页
     ·结的微加工第64-65页
 第三节 实验结果与讨论第65-74页
     ·(Zn,Co)O单层膜的结构和性质第65-68页
     ·(Zn,Co)O/(Zn,Mg)O/(Zn,Co)O隧道结的磁电阻和输运性质第68-74页
 第四节 结论第74-75页
 参考文献第75-77页
第四章 BiFeO_3的外延生长及物性研究第77-124页
 第一节 引言第77-78页
 第二节 样品制备第78-79页
     ·衬底处理第78页
     ·BFO的外延生长第78-79页
 第三节 实验结果与讨论第79-117页
     ·STO(001)和STO(111)衬底上生长的BFO薄膜的结构及物性第79-93页
     ·BFO/STO(111)薄膜的倒易空间图结果分析第93-95页
     ·较薄BFO(001)薄膜的倒易空间图结果分析第95-96页
     ·较薄BFO(001)薄膜的透射电子显微镜结果分析第96-100页
     ·较厚BFO(001)中的类四方相第100-105页
     ·斜切STO(001)衬底上生长的BFO薄膜的结构及物性第105-117页
 第四节 结论第117-120页
 参考文献第120-124页
第五章 CoFe_2O_4/K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3无铅复合多铁性材料的制备和磁介电效应研究第124-134页
 第一节 引言第124-125页
 第二节 样品制备第125-126页
     ·KNN靶材的制备第125页
     ·衬底处理第125页
     ·KNN和CFO/KNN薄膜的制备第125-126页
 第三节 实验结果与讨论第126-130页
     ·KNN单层膜的结构和介电性质第126-127页
     ·CFO/KNN的磁性、介电性质和磁介电效应第127-130页
 第四节 结论第130-132页
 参考文献第132-134页
第六章 总结与展望第134-138页
 第一节 本论文的主要内容和结论第134-136页
 第二节 本论文的特色和创新第136-137页
 第三节 展望第137-138页
致谢第138-140页
攻读博士学位期间发表的论文第140-141页
参加的学术会议第141-142页
学位论文评阅及答辩情况表第142-143页
附件第143-145页

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