高功率TaN薄膜及集成电阻器的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·研究的目的与意义 | 第9-11页 |
| ·国内外研究进展 | 第11-14页 |
| ·国外进展 | 第11-13页 |
| ·国内概况 | 第13-14页 |
| ·薄膜技术及器件的应用 | 第14-15页 |
| ·选题依据与研究内容 | 第15-16页 |
| ·选题依据 | 第15页 |
| ·研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 薄膜制备工艺 | 第16-22页 |
| ·薄膜的一些制备方法 | 第16页 |
| ·溅射方法 | 第16-22页 |
| ·溅射方法的基本概念 | 第16-17页 |
| ·溅射方法的基本特点 | 第17页 |
| ·溅射方法种类 | 第17-18页 |
| ·实验操作 | 第18-20页 |
| ·TaN 薄膜的性能测试分析 | 第20-22页 |
| 第三章 薄膜性能研究 | 第22-36页 |
| ·溅射气压对薄膜的影响 | 第22-23页 |
| ·溅射气压对薄膜相结构的影响 | 第22页 |
| ·溅射气压对 Ta 溅射速率的影响 | 第22-23页 |
| ·不同溅射氮分压对薄膜的影响 | 第23-27页 |
| ·溅射氮分压对薄膜相结构的影响 | 第24-25页 |
| ·溅射氮分压与薄膜方阻的关系 | 第25-26页 |
| ·溅射氮分压与薄膜 TCR 之间的关系 | 第26-27页 |
| ·溅射时间对薄膜的影响 | 第27-30页 |
| ·溅射时间与薄膜厚度的关系 | 第28页 |
| ·溅射时间对薄膜方阻的影响 | 第28-29页 |
| ·溅射时间对薄膜 TCR 的影响 | 第29-30页 |
| ·热处理对薄膜性能的影响 | 第30-33页 |
| ·热处理对薄膜表面性能的影响 | 第30-32页 |
| ·热处理对薄膜方阻的影响 | 第32页 |
| ·热处理对薄膜电阻温度系数 TCR 的影响 | 第32-33页 |
| ·溅射重复性实验 | 第33-34页 |
| ·实验部分总结 | 第34-36页 |
| 第四章 微波电阻器的仿真设计与设计步骤 | 第36-50页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·材料的选择 | 第36页 |
| ·方阻的概念 | 第36-37页 |
| ·电阻器的平面化设计 | 第37-39页 |
| ·功率密度的确定 | 第37-38页 |
| ·长度和宽度的确定 | 第38-39页 |
| ·电阻器的寄生效应 | 第39-40页 |
| ·串联电感 | 第39页 |
| ·串联电阻 | 第39页 |
| ·分流电阻 | 第39页 |
| ·分布电容 | 第39-40页 |
| ·趋肤效应 | 第40页 |
| ·额定功率和工作频率 | 第40-43页 |
| ·额定功率 | 第40-41页 |
| ·工作频率 | 第41-43页 |
| ·电阻器的仿真设计步骤 | 第43-46页 |
| ·薄膜电阻仿真结果及分析 | 第46-49页 |
| ·实验小结 | 第49-50页 |
| 第五章 薄膜功率电阻器制作及结果分析 | 第50-56页 |
| ·薄膜功率电阻器制作 | 第50-51页 |
| ·薄膜功率电阻器频率及功率测试 | 第51-56页 |
| ·薄膜功率电阻器功率测试 | 第51-52页 |
| ·薄膜功率电阻器频率测试 | 第52-55页 |
| ·功率薄膜制作及测试小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-58页 |
| 第七章 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第61-62页 |
