当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
硅微通道板电化学腐蚀过程中空穴的输运特性的研究
注氧隔离SOI材料的电离辐射效应研究
镉基半导体异质纳米结构的制备及性质研究
BiTe3低维结构的热壁外延生长及其激光热效应
碲镉汞材料缺陷态的第一性原理研究
HgCdTe表面/界面光电特性研究
CdZnTe材料缺陷特性及热处理技术研究
退火热处理对碲锌镉材料电阻率的影响
III-V族半导体材料的电化学C-V表征及GaN基光导器件的持续光电导研究
溅射制备铜锌锡硫薄膜及其CZTS/In2S3异质结的初步研究
碱金属或碱土金属铋基光催化剂结构与物性的第一性原理研究
LiF修饰改善TiO2纳米材料光电性能的研究
Cu掺杂ZnO薄膜结构及性能的研究
从难浸分铜渣中浸出碲的工艺优化研究
超声振动辅助固结磨粒研磨硅片轨迹仿真与基础实验研究
GaN表面区域中杂质物理行为的第一性原理研究
PECVD法制备SiO2增透减反涂层的研究
不同形貌纳米Bi2O2CO3的制备及光催化性能研究
飞秒激光改性硅材料的物理机理及其性质研究
In2O3稀磁氧化物半导体的局域结构与磁、输运性能
适用于高频SAW器件高品质AlN薄膜研究与表征
多晶态8-羟基喹啉铝的电光特异性
非均匀铁磁性半导体薄膜/单晶硅异质结构的电输运特性
半导体及其复合物的简易制备及光催化性能研究
三维CuInS2微球的液相法合成及其性能的研究
面向单片光电子集成的新型材料系理论研究与异变外延生长实验
区熔单晶硅气相掺杂技术研究
衬底温度和溅射压强及缓冲层对AZO薄膜的影响
纤锌矿结构GaN（0001）面的光电发射性能研究
SiC衬底上GaN薄膜和LED的制备与研究
硅片超精密磨削减薄工艺基础研究
自支撑金刚石衬底上GaN、AIN薄膜ECR-PEMOCVD法生长研究
金属/SiC半导体接触的SiC表面等离子体改性研究
Ga2O3薄膜的电子束蒸发制备与掺杂及其性质研究
锌基光催化剂的制备、表征及其性能研究
飞秒激光制备单晶硅表面微结构研究
金属氧化物ZnO和In2O3的掺杂结构及其溅射靶材研究
间歇式源中断方式生长InGaAs量子点的生长工艺研究
微测辐射热计用V2O5薄膜的制备及性能研究
激光晶化制备纳米硅基电致发光材料及掺杂晶化硅薄膜研究
高质量氢化非晶碳化硅膜及纳米硅量子点/非晶碳化硅结构的制备与光电特性
局域表面等离激元增强a-SiNx:O薄膜的发光及激光干涉晶化中光场调制的研究
电沉积法制备硫系化合物薄膜材料及其光电性质的研究
水溶液法合成稀土掺杂CdSe量子点及光学性质
氧化钒薄膜制备工艺及其相变特性研究
氧化钒薄膜的快速热氧化法制备工艺与相变特性研究
Cu-Zn-Sn-S系纳米晶的溶液化学法合成及其薄膜应用
三甘醇溶液化学法Cu2-xSe纳米晶的合成研究
可溶性淀粉辅助生长氧化锌及其光催化性能研究
中子辐照微氮直拉硅单晶辐照效应的研究
上一页
[25]
[26]
[27]
[28]
[29]
下一页
