| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·纳米硅量子点的研究背景 | 第10-14页 |
| ·集成电路的发展 | 第10-12页 |
| ·纳米硅量子点的物理性质 | 第12-13页 |
| ·纳米硅量子点的应用 | 第13-14页 |
| ·纳米硅量子点光致发光和电致发光的研究现状 | 第14-15页 |
| ·我们小组的研究基础和本论文的主要研究内容 | 第15-18页 |
| 参考文献 | 第18-21页 |
| 第二章 激光晶化制备纳米硅量子点/二氧化硅多层膜电致发光器件 | 第21-32页 |
| ·引言 | 第21-22页 |
| ·a-Si/SiO_2多层膜样品的制备 | 第22-24页 |
| ·激光退火后样品结构的表征 | 第24页 |
| ·器件的的光电性质和光功率 | 第24-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 第三章 纳米硅量子点/氮化硅三明治结构的电致发光研究 | 第32-42页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·三明治结构样品的制备 | 第32-33页 |
| ·样品的结构表征 | 第33-35页 |
| ·三明治结构样品的电致发光特性 | 第35-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 第四章 激光晶化制备掺杂微晶硅薄膜的研究 | 第42-52页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·薄膜的生长与制备 | 第43页 |
| ·薄膜的光电性质 | 第43-47页 |
| ·图形结构的制备与表征 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第五章 结论与展望 | 第52-55页 |
| ·本论文的主要结论 | 第52-53页 |
| ·展望 | 第53-55页 |
| 硕士期间发表论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |