致谢 | 第1-5页 |
摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-12页 |
1 引言 | 第12-28页 |
·HgCdTe 红外光电探测器的发展历程 | 第12-14页 |
·HgCdTe 光导探测器的工作机理及研究现状 | 第14-19页 |
·光导探测器的工作机理 | 第14-16页 |
·光导探测器的研究现状 | 第16-19页 |
·常见表面钝化方法 | 第19-23页 |
·自身生长的钝化膜 | 第20-22页 |
·介质钝化膜 | 第22-23页 |
·HgCdTe 材料表面/界面的研究方法 | 第23-26页 |
·研究内容与论文安排 | 第26-28页 |
2 HgCdTe 表面控制器件—“栅控结构”光导探测器的建模与仿真 | 第28-50页 |
·栅控器件简介 | 第28-29页 |
·栅控光导探测器物理模型 | 第29-34页 |
·光导探测器响应率模型修正 | 第29-31页 |
·少数载流子寿命模型 | 第31-32页 |
·表面电阻模型 | 第32-34页 |
·栅控器件模型 | 第34页 |
·HgCdTe 器件电学参数提取 | 第34-40页 |
·霍尔测试 | 第34-37页 |
·少子寿命测试 | 第37-38页 |
·钝化膜固定电荷密度 | 第38-40页 |
·栅控器件仿真结果与讨论 | 第40-49页 |
·Matlab 仿真代码 | 第40-41页 |
·仿真结果与讨论 | 第41-49页 |
·本章小结 | 第49-50页 |
3 不同方法在 n-HgCdTe 表面沉积 ZnS 钝化膜的物理特性研究 | 第50-58页 |
·生长方法 | 第50-51页 |
·真空热蒸发法原理 | 第50-51页 |
·磁控溅射法原理 | 第51页 |
·ZnS 钝化膜在 HgCdTe 材料上的制备 | 第51-52页 |
·钝化膜物理特性与光学性能表征测试与讨论 | 第52-57页 |
·表面/截面形貌 | 第52-53页 |
·光学性能 | 第53-54页 |
·晶体结构 | 第54-56页 |
·元素组分 | 第56-57页 |
·本章小结 | 第57-58页 |
4 阳极氧化膜/CdTe/ZnS 与 HgCdTe 界面电学特性研究 | 第58-77页 |
·MIS 器件理论及其 C-V 特性 | 第58-61页 |
·MIS 器件经典理论 | 第58-60页 |
·实际情况下 HgCdTe MIS 器件的 C-V 特性 | 第60-61页 |
·HgCdTe MIS 器件的制备 | 第61-64页 |
·阳极氧化膜/ZnS 双层钝化 | 第62-63页 |
·CdTe/ZnS 双层钝化 | 第63-64页 |
·低温探针台 I-V 测试系统与变温 C-V 测试系统搭建 | 第64-66页 |
·低温探针台 I-V 测试系统 | 第64页 |
·变温 C-V 测试系统 | 第64-66页 |
·不同钝化膜系 MIS 器件测试结果与电学特性分析 | 第66-76页 |
·阳极氧化膜/热蒸发 ZnS | 第66-71页 |
·阳极氧化膜/磁控溅射 ZnS | 第71-73页 |
·CdTe/ZnS(热蒸发法) | 第73-76页 |
·本章小结 | 第76-77页 |
5 栅控结构 HgCdTe 长波光导探测器的制备与测试 | 第77-100页 |
·HgCdTe 栅控长波光导器件的结构设计 | 第77-78页 |
·器件制备的工艺过程及关键工艺研究 | 第78-83页 |
·器件制备 | 第78-81页 |
·透明栅电极研究 | 第81-83页 |
·器件性能测试与讨论 | 第83-92页 |
·Shubnikov-de Haas(SdH) 振荡测试 | 第83-86页 |
·性能测试结果与分析 | 第86-92页 |
·栅控器件低频噪声特性研究 | 第92-99页 |
·器件噪声理论 | 第92-94页 |
·栅控光导器件噪声测试系统 | 第94页 |
·噪声测试结果与分析 | 第94-99页 |
·本章小结 | 第99-100页 |
6 基于 HgCdTe 探测器衬底材料 CdZnTe 的微透镜研制 | 第100-109页 |
·微透镜简介 | 第100-102页 |
·CdZnTe 的 ICP-RIE 刻蚀工艺研究 | 第102-105页 |
·ICP-RIE 刻蚀技术 | 第102页 |
·CdZnTe 材料的 ICP-RIE 刻蚀原理 | 第102-103页 |
·实验设计与刻蚀结果分析 | 第103-105页 |
·微透镜制备方法与过程 | 第105-107页 |
·CdZnTe 微透镜测试与讨论 | 第107-108页 |
·表面形貌与轮廓 | 第107页 |
·光学性能 | 第107-108页 |
·本章小结 | 第108-109页 |
7 全文总结与展望 | 第109-112页 |
·全文总结 | 第109-111页 |
·展望 | 第111-112页 |
参考文献 | 第112-119页 |
作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第119页 |