| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·GaN 材料的性质 | 第9-11页 |
| ·光电性质 | 第9-10页 |
| ·磁学性质 | 第10页 |
| ·极化性质 | 第10-11页 |
| ·研究 GaN 表面的意义 | 第11-14页 |
| ·表面对器件性能的影响 | 第11页 |
| ·表面对化学稳定性的影响 | 第11页 |
| ·表面对薄膜生长的影响 | 第11-14页 |
| ·表面结构的基础知识 | 第14-15页 |
| ·二维正格子与倒格子 | 第14页 |
| ·表面结构的命名方法 | 第14-15页 |
| ·表面具备的结构特征 | 第15-16页 |
| ·表面弛豫 | 第15页 |
| ·表面重构 | 第15-16页 |
| ·表面吸附 | 第16页 |
| ·GaN 的国内外研究现状 | 第16-21页 |
| ·GaN 块体的研究进展 | 第16-17页 |
| ·GaN 表面的研究进展 | 第17-21页 |
| ·本文研究内容及意义 | 第21-22页 |
| 第二章 基本理论和计算软件简介 | 第22-32页 |
| ·经典单电子近似理论 | 第23-24页 |
| ·绝热近似(Born-Oppenheimer) | 第23页 |
| ·Hartree-Fock 方法 | 第23-24页 |
| ·密度泛函理论(Density Functional Theory) | 第24-26页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第25-26页 |
| ·密度泛函基本方法 | 第26-27页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第26-27页 |
| ·广义梯度近似 (GGA) | 第27页 |
| ·密度泛函理论的的发展 | 第27-28页 |
| ·计算软件介绍——VASP 及其它软件 | 第28-30页 |
| ·VASP 软件 | 第28-29页 |
| ·其他软件 | 第29-30页 |
| ·计算涉及的相关技术 | 第30-32页 |
| ·几何结构优化 | 第30页 |
| ·超晶胞方法 | 第30-31页 |
| ·K 点抽样 | 第31-32页 |
| 第三章 GaN 块体和 GaN 表面的结构模型 | 第32-35页 |
| ·GaN 块体结构 | 第32-33页 |
| ·GaN 表面结构 | 第33-35页 |
| 第四章 Al 在 GaN(0001)表面区域的吸附、掺杂及生长机制研究 | 第35-50页 |
| ·引言 | 第35-38页 |
| ·模型构建以及计算方法 | 第38-39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-49页 |
| ·Al 在 clean GaN(0001)表面上的吸附研究 | 第39-43页 |
| ·Al 在 clean GaN(0001)表面中的掺杂研究 | 第43-44页 |
| ·Al 在 Ga-bilayer GaN(0001)表面中的掺杂研究 | 第44-46页 |
| ·Al 在 GaN(0001)表面区域的生长机制研究 | 第46-49页 |
| ·结论 | 第49-50页 |
| 第五章 Co 在 GaN(0001)表面区域的生长机制及磁性研究 | 第50-60页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·模型构建及计算方法 | 第51-52页 |
| ·结果与讨论 | 第52-59页 |
| ·Co 在 GaN(0001)表面区域中的掺杂研究 | 第52-53页 |
| ·Co 在 GaN(0001)表面区域中的生长机制研究 | 第53-55页 |
| ·Co 在 GaN(0001)表面中引入磁性的分析 | 第55-59页 |
| ·结论 | 第59-60页 |
| 第六章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
