| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 1 绪论 | 第11-21页 |
| ·引言 | 第11-13页 |
| ·III-V族直接带隙半导体材料概述 | 第13-17页 |
| ·III-V族直接带隙半导体化合物的吸收系数 | 第13-14页 |
| ·InP基InGaAs材料概述 | 第14-15页 |
| ·GaN基材料概述 | 第15-17页 |
| ·半导体材料载流子浓度的表征方法 | 第17-20页 |
| ·研究内容及论文的安排 | 第20-21页 |
| 2 III-V族半导体材料载流子浓度的电化学C-V表征 | 第21-35页 |
| ·电化学C-V法表征载流子浓度的基本原理 | 第21-23页 |
| ·InP基材料载流子浓度的电化学C-V表征 | 第23-27页 |
| ·InP基材料载流子浓度的纵向分布分析 | 第23-26页 |
| ·InP基材料载流子浓度的纵向分布修正 | 第26-27页 |
| ·GaN 基材料载流子浓度纵的电化学C-V表征 | 第27-30页 |
| ·GaN基材料载流子浓度的纵向分布分析 | 第27-28页 |
| ·GaN基材料载流子浓度的纵向分布修正 | 第28-30页 |
| ·电化学C-V法表征多层材料载流子浓度纵向分布的误差分析 | 第30-33页 |
| ·电化学C-V法表征多层材料载流子浓度的误差分析 | 第30-32页 |
| ·电化学C-V法表征多层材料每一层厚度的误差分析 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 3 GaN基光导器件及其超晶格材料的设计 | 第35-47页 |
| ·半导体光导器件的一般理论 | 第35-36页 |
| ·GaN基光导器件的持续光电导现象 | 第36-40页 |
| ·GaN基光导器件的持续光电导现象简介 | 第36-39页 |
| ·GaN基光导器件持续光电导现象的研究现状 | 第39-40页 |
| ·GaN基超晶格材料结构的设计 | 第40-43页 |
| ·超晶格的基本理论 | 第41-42页 |
| ·GaN基超晶格结构设计 | 第42-43页 |
| ·GaN基超晶格材料的透射光谱测试 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 4 GaN基超晶格光导器件的持续光电导现象研究 | 第47-59页 |
| ·GaN 基超晶格光导器件的制备 | 第47-50页 |
| ·GaN基超晶格光导器件的版图设计 | 第47页 |
| ·GaN 基超晶格光导器件的制备工艺 | 第47-49页 |
| ·GaN 基超晶格光导器件的基本测试 | 第49-50页 |
| ·GaN基超晶格光导器件测试系统的搭建 | 第50-52页 |
| ·GaN基超晶格光导器件的响应光谱测试 | 第52-55页 |
| ·GaN基超晶格光导器件工作电压的选定 | 第52-53页 |
| ·GaN基超晶格光导器件的响应光谱 | 第53-55页 |
| ·GaN基超晶格光导器件的持续光电导现象的电场效应 | 第55-56页 |
| ·相同时间不同偏压对光导器件持续光电导的影响 | 第55-56页 |
| ·不同时间相同偏压对光导器件持续光电导的影响 | 第56页 |
| ·GaN基超晶格光导器件的持续光电导现象的热效应 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 5 结论与展望 | 第59-61页 |
| ·结论 | 第59-60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第64页 |
