| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·硫系化合物材料的研究背景与意义 | 第10-12页 |
| ·硫系化合物材料的制备方法 | 第12-15页 |
| ·本文研究内容 | 第15-16页 |
| 参考文献 | 第16-18页 |
| 第二章 电沉积法制备硫系化合物的机理分析 | 第18-27页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·电沉积原理 | 第18-21页 |
| ·电沉积硫系化合物的机理分析 | 第21-25页 |
| ·电沉积SnS薄膜的机理分析 | 第21-22页 |
| ·电沉积ZnS薄膜的机理分析 | 第22-24页 |
| ·电沉积ZnSnS薄膜的机理分析 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-27页 |
| 第三章 几种硫系化合物薄膜的制备与光电特性研究 | 第27-49页 |
| ·引言 | 第27-28页 |
| ·脉冲电沉积法制备SnS薄膜及对其光电性质的研究 | 第28-37页 |
| ·脉冲电沉积方法制备SnS薄膜 | 第28-29页 |
| ·SnS薄膜的表面形貌 | 第29-31页 |
| ·SnS薄膜的结构研究 | 第31-32页 |
| ·SnS薄膜的光学特性研究 | 第32-34页 |
| ·SnS薄膜的电学特性研究 | 第34-37页 |
| ·脉冲电沉积法制备ZnS薄膜及其光电性质研究 | 第37-42页 |
| ·脉冲电沉积方法制备ZnS薄膜 | 第37页 |
| ·ZnS薄膜的成分研究 | 第37-40页 |
| ·退火处理对ZnS薄膜光学性质的影响 | 第40-41页 |
| ·ZnS薄膜电学性质的研究 | 第41-42页 |
| ·脉冲电沉积法制备ZnSnS薄膜及对其光电性质研究 | 第42-46页 |
| ·脉冲电沉积方法制备ZnSnS薄膜 | 第42-43页 |
| ·ZnSnS薄膜的成分分析 | 第43-44页 |
| ·ZnSnS薄膜光学性质的研究 | 第44-45页 |
| ·ZnSnS薄膜电学性质的研究 | 第45-46页 |
| ·本节总结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 SnS/CdS与SnS/ZnSnS异质结的制备与光电特性的初步探索 | 第49-61页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·硫系化合物薄膜与KCI溶液组成异质结 | 第50-52页 |
| ·SnS/CdS异质结的制备与其电学特性研究 | 第52-58页 |
| ·SnS/CdS异质结的制备 | 第52-53页 |
| ·ITO/CdS/SnS/Au异质结的制备与其电学特性研究 | 第53-56页 |
| ·ITO/CdS/SnS/AI异质结的电学特性研究 | 第56-58页 |
| ·SnS/ZnSnS异质结的制备与电学性质研究 | 第58-59页 |
| ·SnS/ZnSnS异质结的制备 | 第58-59页 |
| ·ITO/SnS/ZnSnS/AI异质结电学特性研究 | 第59页 |
| ·本章总结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-64页 |
| ·总结 | 第61-62页 |
| ·展望 | 第62-64页 |
| 硕士阶段发表文章 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
