摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-12页 |
第一章 绪论 | 第12-28页 |
·稀磁半导体研究概况 | 第12-16页 |
·研究概况 | 第12-14页 |
·稀磁半导体铁磁性来源的理论体系 | 第14-16页 |
·In_2O_3基稀磁半导体 | 第16-26页 |
·In_2O_3基稀磁半导体的应用现状 | 第16-17页 |
·In_2O_3的结构 | 第17-18页 |
·In_2O_3基稀磁半导体的研究现状 | 第18-26页 |
·In_2O_3基稀磁半导体存在的问题 | 第26-27页 |
·本论文研究的目的以及研究内容 | 第27-28页 |
第二章 薄膜样品的制备与表征方法 | 第28-36页 |
·薄膜的制备 | 第28-30页 |
·磁控溅射的原理 | 第28页 |
·实验设备与实验材料 | 第28-30页 |
·表征方法 | 第30-35页 |
·X 射线衍射(XRD) | 第30-31页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第31页 |
·X 射线光电子能谱(XPS) | 第31-32页 |
·X 射线吸收精细结构谱(XAFS) | 第32-33页 |
·电输运性能测试 | 第33-34页 |
·磁性能测试 | 第34页 |
·光学性能测试 | 第34-35页 |
·本章小结 | 第35-36页 |
第三章 Cr 掺杂 In_2O_3基稀磁半导体薄膜的制备、结构与性能 | 第36-48页 |
·引言 | 第36页 |
·实验过程 | 第36-37页 |
·结果与讨论 | 第37-46页 |
·Cr 掺杂 In_2O_3薄膜 X 射线衍射分析 | 第37页 |
·Cr 掺杂 In_2O_3薄膜价态分析 | 第37-39页 |
·Cr 的 K 边 X 射线近边吸收精细结构(XANES)研究 | 第39-41页 |
·Cr K 边扩展 X 射线吸收精细结构(EXAFS)研究 | 第41-43页 |
·Cr 掺杂 In_2O_3薄膜磁性能分析 | 第43-44页 |
·Cr 掺杂 In_2O_3薄膜输运性能分析 | 第44-46页 |
·Cr 掺杂 In_2O_3薄膜的磁性来源 | 第46页 |
·本章小结 | 第46-48页 |
第四章 Fe/Cu 共掺杂 In_2O_3基稀磁半导体薄膜的制备、结构与性能 | 第48-69页 |
·引言 | 第48页 |
·实验过程 | 第48-49页 |
·结果与讨论 | 第49-67页 |
·Fe/Cu 共掺杂薄膜 X 射线衍射分析 | 第49-50页 |
·Fe/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜价态分析 | 第50-52页 |
·Fe 和 Cu 扩展 X 射线吸收精细结构(EXAFS)分析 | 第52-57页 |
·Fe K 边 X 射线近边吸收近边精细结构(XANES)分析 | 第57-59页 |
·Fe L 边 X 射线吸收谱分析 | 第59-61页 |
·Fe/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜 O K 边分析 | 第61-62页 |
·Fe/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜磁性能分析 | 第62-63页 |
·Fe/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜输运性能分析 | 第63-66页 |
·Fe/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜禁带宽度分析 | 第66-67页 |
·Fe/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜磁性来源的解释 | 第67-68页 |
·本章小结 | 第68-69页 |
第五章 Co/Cu 共掺杂 In_2O_3基稀磁半导体薄膜的制备、结构与性能 | 第69-86页 |
·引言 | 第69页 |
·实验过程 | 第69-70页 |
·结果与讨论 | 第70-84页 |
·Co/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜 X 射线衍射分析 | 第70-71页 |
·Co/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜价态分析 | 第71-73页 |
·Co 和 Cu 扩展 X 射线吸收精细结构(EXAFS)分析 | 第73-77页 |
·Co 和 Cu K 边 X 射线吸收近边精细结构(XANES)分析 | 第77-79页 |
·Co/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜 O K 边分析 | 第79-80页 |
·Co/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜磁性能分析 | 第80-81页 |
·Co/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜输运性能分析 | 第81-84页 |
·Co/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜禁带宽度分析 | 第84页 |
·Co/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜磁性来源的解释 | 第84-85页 |
·本章小结 | 第85-86页 |
第六章 结论 | 第86-88页 |
参考文献 | 第88-94页 |
发表论文和科研情况说明 | 第94-95页 |
致谢 | 第95-96页 |