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In2O3稀磁氧化物半导体的局域结构与磁、输运性能

摘要第1-7页
Abstract第7-12页
第一章 绪论第12-28页
   ·稀磁半导体研究概况第12-16页
     ·研究概况第12-14页
     ·稀磁半导体铁磁性来源的理论体系第14-16页
   ·In_2O_3基稀磁半导体第16-26页
     ·In_2O_3基稀磁半导体的应用现状第16-17页
     ·In_2O_3的结构第17-18页
     ·In_2O_3基稀磁半导体的研究现状第18-26页
   ·In_2O_3基稀磁半导体存在的问题第26-27页
   ·本论文研究的目的以及研究内容第27-28页
第二章 薄膜样品的制备与表征方法第28-36页
   ·薄膜的制备第28-30页
     ·磁控溅射的原理第28页
     ·实验设备与实验材料第28-30页
   ·表征方法第30-35页
     ·X 射线衍射(XRD)第30-31页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第31页
     ·X 射线光电子能谱(XPS)第31-32页
     ·X 射线吸收精细结构谱(XAFS)第32-33页
     ·电输运性能测试第33-34页
     ·磁性能测试第34页
     ·光学性能测试第34-35页
   ·本章小结第35-36页
第三章 Cr 掺杂 In_2O_3基稀磁半导体薄膜的制备、结构与性能第36-48页
   ·引言第36页
   ·实验过程第36-37页
   ·结果与讨论第37-46页
     ·Cr 掺杂 In_2O_3薄膜 X 射线衍射分析第37页
     ·Cr 掺杂 In_2O_3薄膜价态分析第37-39页
     ·Cr 的 K 边 X 射线近边吸收精细结构(XANES)研究第39-41页
     ·Cr K 边扩展 X 射线吸收精细结构(EXAFS)研究第41-43页
     ·Cr 掺杂 In_2O_3薄膜磁性能分析第43-44页
     ·Cr 掺杂 In_2O_3薄膜输运性能分析第44-46页
   ·Cr 掺杂 In_2O_3薄膜的磁性来源第46页
   ·本章小结第46-48页
第四章 Fe/Cu 共掺杂 In_2O_3基稀磁半导体薄膜的制备、结构与性能第48-69页
   ·引言第48页
   ·实验过程第48-49页
   ·结果与讨论第49-67页
     ·Fe/Cu 共掺杂薄膜 X 射线衍射分析第49-50页
     ·Fe/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜价态分析第50-52页
     ·Fe 和 Cu 扩展 X 射线吸收精细结构(EXAFS)分析第52-57页
     ·Fe K 边 X 射线近边吸收近边精细结构(XANES)分析第57-59页
     ·Fe L 边 X 射线吸收谱分析第59-61页
     ·Fe/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜 O K 边分析第61-62页
     ·Fe/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜磁性能分析第62-63页
     ·Fe/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜输运性能分析第63-66页
     ·Fe/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜禁带宽度分析第66-67页
   ·Fe/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜磁性来源的解释第67-68页
   ·本章小结第68-69页
第五章 Co/Cu 共掺杂 In_2O_3基稀磁半导体薄膜的制备、结构与性能第69-86页
   ·引言第69页
   ·实验过程第69-70页
   ·结果与讨论第70-84页
     ·Co/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜 X 射线衍射分析第70-71页
     ·Co/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜价态分析第71-73页
     ·Co 和 Cu 扩展 X 射线吸收精细结构(EXAFS)分析第73-77页
     ·Co 和 Cu K 边 X 射线吸收近边精细结构(XANES)分析第77-79页
     ·Co/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜 O K 边分析第79-80页
     ·Co/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜磁性能分析第80-81页
     ·Co/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜输运性能分析第81-84页
     ·Co/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜禁带宽度分析第84页
   ·Co/Cu 共掺杂 In_2O_3薄膜磁性来源的解释第84-85页
   ·本章小结第85-86页
第六章 结论第86-88页
参考文献第88-94页
发表论文和科研情况说明第94-95页
致谢第95-96页

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