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材料
硅基GaN欧姆接触及紫外探测器的研究
直拉单晶硅内吸杂研究
微氮直拉硅单晶的机械性能研究
薄硅外延片的生长及高频肖特基二极管的研制
氧化锌及其复合半导体材料的制备、表征与性能研究
锑化物自组织量子点的MOCVD制备研究及热光伏器件结构模拟
4H-SiC同质外延生长及器件研究
氧化锌块状、薄膜和纳米晶体的制备及性质研究
高Co非匀质Ti1-xCoxO2铁磁性半导体的制备、结构与物性研究
氧化锡及其锑掺杂薄膜的制备、结构和光致发光性质研究
MgZnO薄膜的制备及特性研究
基于四苯基硅烷的宽禁带半导体材料的设计合成与光电性能研究
氧化物浓磁半导体和反铁磁金属的自旋极化输运研究
图像处理在单晶硅直径检测中的实际应用
退火方式对Ni/SiC欧姆接触的影响
冶金法制备太阳能级硅工艺中湿法提纯及半工业化研究
锰的硅化物薄膜及纳米结构在硅表面的外延生长
轻气体离子注入Si基材料引起的损伤及其机制研究
GaN基器件肖特基接触的新结构和新材料的研究
新型半导体材料和红外器件的输运性质研究
几种半导体材料电子结构及光催化性质的理论研究
半导体及多铁材料的磁性研究
有机半导体材料的自组装及其理论研究
多酸/半导体复合膜的制备及其光电性能研究
3d过渡金属基Ⅱ-Ⅵ族半导体缺陷特性的理论研究
空穴传输材料NPB载流子输运特性研究
掺杂锐钛矿相TiO2的第一性原理研究
掺杂ZnO的第一性原理研究
氧化锌电子结构的理论研究
钴掺杂氧化锌的第一性原理研究
SiC、Si和CdS半导体纳米晶的制备及其发光性能
GaSb基金属/半导体接触势垒调制的技术研究
Zn扩散制备GaSb PN结的工艺及物性研究
NixMg1-xO薄膜的制备技术研究
InP材料表面改性及光学性质研究
氮化硼的半导体特性和紫外光电探测器的基础研究
化合物半导体缺陷物理及表面激发态动力学的第一性原理研究
ZnO微米线异质结发光器件的制备及研究
TiO2@NaYF4:Yb,Tm核壳结构红外光催化材料的设计、制备及其光催化性质的研究
SiC半导体材料抗辐照特性研究
基于金属粒子催化腐蚀法制备硅多孔微结构技术研究
锑化物的外延生长及其物性研究
荷电粒子束辐照作用下若干光学器件及半导体材料的微观结构和性能
新型螺芴基有机半导体的制备及其光电性质研究
Beta-氧化镓异质外延薄膜的制备及特性研究
多孔金属氧化物半导体材料的合成及其性能研究
ZnTe薄膜和GaN基异质结构的制备及光学特性
SnO2纳米结构的形貌与退火温度及时间的关系研究
介孔二氧化硅材料的制备与表征
W掺杂及WO3复合TiO2的磁性能和光学性能研究
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