| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| ·硅微通道阵列加工技术及其应用 | 第7-13页 |
| ·硅微通道阵列的简介 | 第7页 |
| ·硅微通道阵列的制备技术 | 第7-9页 |
| ·硅微通道阵列的应用 | 第9-13页 |
| ·硅微通道阵列电化学腐蚀过程中空穴输运过程的研究进展 | 第13-15页 |
| ·国外的研究进展 | 第13-14页 |
| ·国内的研究进展 | 第14页 |
| ·硅微通道阵列电化学腐蚀技术研究的难点 | 第14-15页 |
| ·本论文研究的主要内容及意义 | 第15-16页 |
| ·主要研究内容 | 第15页 |
| ·研究意义 | 第15-16页 |
| 第二章 硅微通道电化学腐蚀的相关理论分析 | 第16-24页 |
| ·硅微通道电化学腐蚀机理 | 第16-19页 |
| ·电化学反应方程式 | 第16-17页 |
| ·电化学反应的空间电荷区模型 | 第17页 |
| ·临界电流密度 | 第17-18页 |
| ·影响电化学反应速度的主要因素 | 第18-19页 |
| ·半导体硅材料中的散射机制 | 第19-22页 |
| ·杂质散射机制 | 第19-21页 |
| ·晶格振动散射机制 | 第21-22页 |
| ·Mott-Schottky曲线的性质 | 第22-24页 |
| ·n型半导体的Mott-Schottky方程 | 第22-23页 |
| ·Mott-Schottky曲线的意义 | 第23-24页 |
| 第三章 硅微通道电化学腐蚀实验 | 第24-34页 |
| ·诱导坑的制备 | 第24-26页 |
| ·掩膜板设计 | 第24-25页 |
| ·诱导坑腐蚀工艺流程 | 第25-26页 |
| ·实验操作流程 | 第26-32页 |
| ·硅微通道电化学腐蚀实验系统 | 第26-29页 |
| ·实验原材料 | 第29页 |
| ·实验步骤 | 第29-32页 |
| ·Mott-Schottky曲线的测定 | 第32-34页 |
| ·Mott-Schottky曲线测定的操作流程与实验条件 | 第32-33页 |
| ·数据处理 | 第33-34页 |
| 第四章 工艺条件对光生空穴输运特性的影响 | 第34-45页 |
| ·光照强度对光生空穴输运特性的影响 | 第34-35页 |
| ·电压对光生空穴输运特性的影响 | 第35-40页 |
| ·腐蚀电压与空穴电流密度的关系 | 第35-37页 |
| ·腐蚀电压与硅微通道阵列形貌的关系 | 第37-40页 |
| ·温度对光生空穴输运特性的影响 | 第40-45页 |
| ·温度对光生空穴输运过程中平带电位的影响 | 第40-41页 |
| ·温度与空穴电流密度的关系 | 第41-42页 |
| ·温度与硅微通道阵列形貌的关系 | 第42-45页 |
| 第五章 总结与展望 | 第45-46页 |
| ·总结 | 第45页 |
| ·展望 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第49页 |