首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--化合物半导体论文

CdZnTe材料缺陷特性及热处理技术研究

致谢第1-5页
摘要第5-8页
ABSTRACT第8-12页
目录第12-14页
1. 引言第14-36页
   ·CdZnTe晶体材料第14-18页
   ·CdZnTe单晶和HgCdTe外延生长技术第18-21页
     ·CdZnTe单晶生长技术第18-20页
     ·HgCdTe外延生长技术第20-21页
   ·CdZnTe晶体的缺陷及对HgCdTe外延的影响第21-29页
     ·CdZnTe晶体的缺陷第21-27页
     ·CdZnTe晶体缺陷对HgCdTe外延的影响第27-29页
   ·CdZnTe材料缺陷的评价技术第29-30页
   ·CdZnTe材料热处理研究第30-32页
   ·CdZnTe材料的应用需求第32-33页
   ·CdZnTe材料存在的问题第33-34页
   ·本研究工作的内容、目的和意义第34-36页
2. CdZnTe材料缺陷研究相关的实验技术介绍第36-52页
   ·CdZnTe材料性能的检测手段第36-46页
     ·傅里叶红外光谱仪第36-37页
     ·电阻率的测量第37-38页
     ·单晶X-ray衍射技术第38-39页
     ·晶体表面的缺陷腐蚀评价技术第39-41页
     ·红外透射显微镜第41-43页
     ·金相显微镜第43-44页
     ·扫描电子显微镜和能谱分析第44-46页
   ·CdZnTe材料热处理技术第46-51页
     ·石英管闭管热处理技术第46-48页
     ·开管热处理技术第48-51页
   ·本章小结第51-52页
3. CdZnTe材料表面腐蚀坑特性的研究第52-68页
   ·位错腐蚀坑第52-57页
   ·沉淀相缺陷腐蚀坑第57-66页
     ·富Te沉淀相缺陷腐蚀坑第57-61页
     ·富Cd沉淀相缺陷腐蚀坑第61-63页
     ·沉淀相缺陷密度统计第63-66页
   ·本章小结第66-68页
4. 沉淀相缺陷空间形态研究第68-84页
   ·红外透射显微镜可见的体缺陷种类第69-72页
   ·富Te沉淀相缺陷空间形态第72-75页
   ·富Cd沉淀相缺陷空间形态第75-82页
   ·本章小结第82-84页
5. 热处理对CdZnTe材料缺陷和特性的影响第84-124页
   ·CdZnTe材料热处理的原理第84-90页
   ·热处理的实验条件第90-91页
   ·热处理实验条件的优化第91-93页
   ·富Te材料闭管热处理的研究第93-111页
     ·热处理条件下位错腐蚀坑变化第93-98页
       ·富Cd气氛热处理后表面腐蚀坑变化第93-94页
       ·富Te气氛热处理后表面腐蚀坑变化第94-97页
       ·台面结构热处理第97-98页
     ·热处理温度、气氛压力和时间对富Te沉淀相缺陷尺寸的影响第98-103页
     ·热处理对富Te沉淀相缺陷腐蚀坑的影响第103-107页
     ·热处理前后CdZnTe单晶X-ray摇摆曲线的变化第107-109页
     ·热处理条件下红外透射率的变化第109-111页
     ·热处理前后CdZnTe材料电阻率的变化第111页
   ·富镉CdZnTe材料闭管热处理研究第111-117页
     ·热处理条件下位错腐蚀坑变化第111-112页
     ·热处理温度、气氛压力和时间对富Cd沉淀相缺陷尺寸的影响第112-114页
     ·热处理对富Cd沉淀相缺陷腐蚀坑的影响第114-115页
     ·热处理前后CdZnTe单晶X-ray摇摆曲线的变化第115页
     ·热处理条件下红外透射率的变化第115-117页
   ·开管热处理技术第117-122页
     ·富Te沉淀相缺陷消除技术第117-119页
     ·材料红外透射率提升技术第119-121页
     ·富Cd沉淀相缺陷消除技术第121-122页
   ·本章小结第122-124页
6. CdZnTe衬底的缺陷和热处理对HgCdTe外延性能的影响第124-132页
   ·CdZnTe衬底与HgCdTe外延缺陷的对应关系第124-128页
   ·CdZnTe衬底热处理对HgCdTe外延缺陷的影响第128-131页
   ·本章小结第131-132页
7. 总结与展望第132-135页
   ·全文总结第132-134页
   ·课题展望第134-135页
参考文献第135-145页
作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果第145-146页

论文共146页,点击 下载论文
上一篇:中短波红外焦平面探测器暗电流测试分析及相关性能研究
下一篇:基于半导体光谱的两类光电功能晶体材料的性质研究