致谢 | 第1-5页 |
摘要 | 第5-8页 |
ABSTRACT | 第8-12页 |
目录 | 第12-14页 |
1. 引言 | 第14-36页 |
·CdZnTe晶体材料 | 第14-18页 |
·CdZnTe单晶和HgCdTe外延生长技术 | 第18-21页 |
·CdZnTe单晶生长技术 | 第18-20页 |
·HgCdTe外延生长技术 | 第20-21页 |
·CdZnTe晶体的缺陷及对HgCdTe外延的影响 | 第21-29页 |
·CdZnTe晶体的缺陷 | 第21-27页 |
·CdZnTe晶体缺陷对HgCdTe外延的影响 | 第27-29页 |
·CdZnTe材料缺陷的评价技术 | 第29-30页 |
·CdZnTe材料热处理研究 | 第30-32页 |
·CdZnTe材料的应用需求 | 第32-33页 |
·CdZnTe材料存在的问题 | 第33-34页 |
·本研究工作的内容、目的和意义 | 第34-36页 |
2. CdZnTe材料缺陷研究相关的实验技术介绍 | 第36-52页 |
·CdZnTe材料性能的检测手段 | 第36-46页 |
·傅里叶红外光谱仪 | 第36-37页 |
·电阻率的测量 | 第37-38页 |
·单晶X-ray衍射技术 | 第38-39页 |
·晶体表面的缺陷腐蚀评价技术 | 第39-41页 |
·红外透射显微镜 | 第41-43页 |
·金相显微镜 | 第43-44页 |
·扫描电子显微镜和能谱分析 | 第44-46页 |
·CdZnTe材料热处理技术 | 第46-51页 |
·石英管闭管热处理技术 | 第46-48页 |
·开管热处理技术 | 第48-51页 |
·本章小结 | 第51-52页 |
3. CdZnTe材料表面腐蚀坑特性的研究 | 第52-68页 |
·位错腐蚀坑 | 第52-57页 |
·沉淀相缺陷腐蚀坑 | 第57-66页 |
·富Te沉淀相缺陷腐蚀坑 | 第57-61页 |
·富Cd沉淀相缺陷腐蚀坑 | 第61-63页 |
·沉淀相缺陷密度统计 | 第63-66页 |
·本章小结 | 第66-68页 |
4. 沉淀相缺陷空间形态研究 | 第68-84页 |
·红外透射显微镜可见的体缺陷种类 | 第69-72页 |
·富Te沉淀相缺陷空间形态 | 第72-75页 |
·富Cd沉淀相缺陷空间形态 | 第75-82页 |
·本章小结 | 第82-84页 |
5. 热处理对CdZnTe材料缺陷和特性的影响 | 第84-124页 |
·CdZnTe材料热处理的原理 | 第84-90页 |
·热处理的实验条件 | 第90-91页 |
·热处理实验条件的优化 | 第91-93页 |
·富Te材料闭管热处理的研究 | 第93-111页 |
·热处理条件下位错腐蚀坑变化 | 第93-98页 |
·富Cd气氛热处理后表面腐蚀坑变化 | 第93-94页 |
·富Te气氛热处理后表面腐蚀坑变化 | 第94-97页 |
·台面结构热处理 | 第97-98页 |
·热处理温度、气氛压力和时间对富Te沉淀相缺陷尺寸的影响 | 第98-103页 |
·热处理对富Te沉淀相缺陷腐蚀坑的影响 | 第103-107页 |
·热处理前后CdZnTe单晶X-ray摇摆曲线的变化 | 第107-109页 |
·热处理条件下红外透射率的变化 | 第109-111页 |
·热处理前后CdZnTe材料电阻率的变化 | 第111页 |
·富镉CdZnTe材料闭管热处理研究 | 第111-117页 |
·热处理条件下位错腐蚀坑变化 | 第111-112页 |
·热处理温度、气氛压力和时间对富Cd沉淀相缺陷尺寸的影响 | 第112-114页 |
·热处理对富Cd沉淀相缺陷腐蚀坑的影响 | 第114-115页 |
·热处理前后CdZnTe单晶X-ray摇摆曲线的变化 | 第115页 |
·热处理条件下红外透射率的变化 | 第115-117页 |
·开管热处理技术 | 第117-122页 |
·富Te沉淀相缺陷消除技术 | 第117-119页 |
·材料红外透射率提升技术 | 第119-121页 |
·富Cd沉淀相缺陷消除技术 | 第121-122页 |
·本章小结 | 第122-124页 |
6. CdZnTe衬底的缺陷和热处理对HgCdTe外延性能的影响 | 第124-132页 |
·CdZnTe衬底与HgCdTe外延缺陷的对应关系 | 第124-128页 |
·CdZnTe衬底热处理对HgCdTe外延缺陷的影响 | 第128-131页 |
·本章小结 | 第131-132页 |
7. 总结与展望 | 第132-135页 |
·全文总结 | 第132-134页 |
·课题展望 | 第134-135页 |
参考文献 | 第135-145页 |
作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第145-146页 |