| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| CONTENTS | 第12-15页 |
| 图表目录 | 第15-19页 |
| 主要符号表 | 第19-20页 |
| 1 绪论 | 第20-40页 |
| ·β-Ga_2O_3材料的基本性质 | 第21-25页 |
| ·β-Ga_2O_3的结构性质 | 第21-23页 |
| ·β-Ga_2O_3的光学性质 | 第23-24页 |
| ·β-Ga_2O_3的电学性质 | 第24-25页 |
| ·β-Ga_2O_3薄膜的应用 | 第25-32页 |
| ·β-Ga_2O_3紫外探测器 | 第25-27页 |
| ·β-Ga_2O_3发光二极器 | 第27-29页 |
| ·β-Ga_2O_3深紫外透明导电薄膜 | 第29-31页 |
| ·β-Ga_2O_3薄膜作为GaN的缓冲层 | 第31-32页 |
| ·β-Ga_2O_3材料的制备方法 | 第32-36页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第32-34页 |
| ·分子束外延 | 第34-35页 |
| ·金属有机物化学气相沉积 | 第35-36页 |
| ·衬底的选择 | 第36-38页 |
| ·β-Ga_2O_3单晶衬底 | 第36-37页 |
| ·蓝宝石衬底 | 第37页 |
| ·硅衬底 | 第37页 |
| ·石英衬底 | 第37页 |
| ·MgO衬底 | 第37-38页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第38-40页 |
| 2 Ga_2O_3薄膜的制备和表征技术 | 第40-55页 |
| ·电子束技术制备方法 | 第40-42页 |
| ·真空蒸发镀膜物理过程 | 第40-41页 |
| ·电子枪加热蒸发源工作原理 | 第41-42页 |
| ·薄膜生长模式和应力 | 第42-44页 |
| ·薄膜生长模式 | 第42-43页 |
| ·薄膜的应力 | 第43-44页 |
| ·Ga_2O_3薄膜特性表征 | 第44-55页 |
| ·X射线衍射 | 第44-45页 |
| ·原子力显微镜 | 第45-47页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第47-48页 |
| ·透射电子显微镜 | 第48-50页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第50-51页 |
| ·光致荧光谱测试 | 第51-52页 |
| ·可见-紫外吸收光谱测试 | 第52-53页 |
| ·红外吸收光谱测试 | 第53页 |
| ·霍尔效应测试 | 第53-55页 |
| 3 基于蓝宝石衬底的β-Ga_2O_3薄膜性质研究 | 第55-73页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·氧气退火对β-Ga_2O_3薄膜的影响 | 第56-64页 |
| ·氧气氛围退火对β-Ga_2O_3薄膜结构性质的影响 | 第56-61页 |
| ·氧气氛围退火对β-Ga_2O_3薄膜光学性质的影响 | 第61-64页 |
| ·氮气退火对β-Ga_2O_3薄膜的影响 | 第64-67页 |
| ·氮气氛围退火对β-Ga_2O_3薄膜结构性质的影响 | 第64-66页 |
| ·氮气氛围退火对β-Ga_2O_3薄膜光学性质的影响 | 第66-67页 |
| ·高温氧气氛围中β-Ga_2O_3薄膜稳定特性的研究 | 第67-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 4 基于蓝宝石衬底Cu掺杂β-Ga_2O_3薄膜的性质研究 | 第73-96页 |
| ·引言 | 第73-76页 |
| ·Cu掺杂Ga_2O_3陶瓷靶的制备 | 第73-74页 |
| ·β-Ga_2O_3和Cu掺杂β-Ga_2O_3能带结构 | 第74-76页 |
| ·氧气退火对Cu掺杂β-Ga_2O_3薄膜的影响 | 第76-84页 |
| ·氧气氛围退火对Cu掺杂β-Ga_2O_3薄膜结构性质的影响 | 第76-81页 |
| ·Cu掺杂β-Ga_2O_3薄膜组分分析 | 第81-82页 |
| ·氧气氛围退火对Cu掺杂β-Ga_2O_3薄膜光学性质的影响 | 第82-84页 |
| ·未退火与氧气氛围退火Cu掺杂β-Ga_2O_3薄膜电学性质的研究 | 第84页 |
| ·衬底生长温度对Cu掺杂β-Ga_2O_3薄膜结晶质量和光学特性的影响 | 第84-90页 |
| ·生长温度对结构特性的影响 | 第84-86页 |
| ·生长温度对表面形貌的影响 | 第86-88页 |
| ·生长温度对光学特性的影响 | 第88-90页 |
| ·优化生长速率和退火温度对Cu掺杂β-Ga_2O_3薄膜结晶质量和光学特性影响 | 第90-94页 |
| ·化合物的蒸发速率 | 第90-91页 |
| ·优化生长速率和不同退火温度对薄膜晶体结构影响 | 第91-94页 |
| ·本章小结 | 第94-96页 |
| 5 硅衬底上制备β-Ga_2O_3薄膜和Cu掺杂β-Ga_2O_3薄膜特性研究 | 第96-103页 |
| ·引言 | 第96页 |
| ·硅衬底上生长β-Ga_2O_3薄膜特性研究 | 第96-99页 |
| ·β-Ga_2O_3薄膜XRD特性研究 | 第96-97页 |
| ·β-Ga_2O_3薄膜红外光谱特性研究 | 第97-98页 |
| ·β-Ga_2O_3薄膜发光特性研究 | 第98-99页 |
| ·硅衬底上生长Cu掺杂β-Ga_2O_3薄膜特性研究 | 第99-102页 |
| ·Cu掺杂β-Ga_2O_3薄膜XRD特性研究 | 第99-100页 |
| ·Cu掺杂β-Ga_2O_3薄膜红外光谱特性研究 | 第100-101页 |
| ·Cu掺杂β-Ga_2O_3薄膜发光特性研究 | 第101-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 6. 结论与展望 | 第103-105页 |
| 本论文创新点摘要 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-117页 |
| 攻读博士学位期间科研成果 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
| 作者简介 | 第119-120页 |
