首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--元素半导体论文

局域表面等离激元增强a-SiNx:O薄膜的发光及激光干涉晶化中光场调制的研究

摘要第1-6页
Abstract第6-9页
第一章 绪论第9-22页
   ·硅基发光材料的研究意义第9-10页
   ·表面等离激元的特性第10-15页
   ·表面等离激元提高内量子效率的研究进展第15-16页
   ·图形化结构提高光萃取效率的研究进展第16-18页
   ·本论文的主要研究内容第18-20页
 参考文献第20-22页
第二章 银岛膜的制备及局域表面等离激元的研究第22-34页
   ·引言第22-23页
   ·银岛膜的制备与形貌分析第23-28页
   ·银岛膜的消光特性研究第28-32页
   ·本章小结第32-33页
 参考文献第33-34页
第三章 局域表面等离激元增强富氮a-SiNx:O薄膜的发光第34-47页
   ·引言第34-35页
   ·a-SiNx:O薄膜光致发光峰位的调制第35-37页
   ·局域表面等离激元对富氮a-SiNx:O薄膜光致发光的增强机制第37-42页
   ·局域表面等离激元近场增强效应的理论模拟第42-44页
   ·本章小结第44-46页
 参考文献第46-47页
第四章 激光干涉晶化中移相光栅掩模对光场的调制作用第47-59页
   ·引言第47-48页
   ·移相光栅掩模周期性调制效应的理论模拟第48-54页
   ·周期性纳米硅阵列的制备第54-57页
   ·本章小结第57-58页
 参考文献第58-59页
第五章 总结与展望第59-62页
   ·研究工作总结第59-60页
   ·展望第60-62页
硕士阶段发表的论文第62-63页
致谢第63-64页

论文共64页,点击 下载论文
上一篇:载红霉素衍生物LY267108骨水泥洗提特性的实验研究
下一篇:高质量氢化非晶碳化硅膜及纳米硅量子点/非晶碳化硅结构的制备与光电特性