| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·研究背景与意义 | 第10-12页 |
| ·论文的结构安排 | 第12-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第二章 第一性原理的理论基础与计算方法 | 第16-35页 |
| ·引言 | 第16-17页 |
| ·绝热近似与Hartree-Fock近似 | 第17-20页 |
| ·密度泛函理论与实现机制 | 第20-30页 |
| ·CASTEP程序包 | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-35页 |
| 第三章 三元BGaAs合金的第一性原理计算 | 第35-49页 |
| ·引言 | 第35-37页 |
| ·BGaAs的结构性质 | 第37-39页 |
| ·BGaAs的电子结构 | 第39-41页 |
| ·BGaAs的热力学性质 | 第41-43页 |
| ·BGaAs的光学性质 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 GaAs基BInGaAs与BGaAsSb合金的理论研究 | 第49-66页 |
| ·引言 | 第49-50页 |
| ·BInGaAs的基本性质 | 第50-57页 |
| ·BInGaAs的结构性质 | 第50-53页 |
| ·BInGaAs的电子结构 | 第53-55页 |
| ·BInGaAs的光学性质 | 第55-57页 |
| ·BGaAsSb的基本性质 | 第57-63页 |
| ·BGaAsSb的结构性质 | 第57-60页 |
| ·BGaAsSb的能带与光学性质 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 第五章 稀氮GaPN合金的第一性原理计算 | 第66-77页 |
| ·引言 | 第66-68页 |
| ·GaPN的结构性质 | 第68-72页 |
| ·GaPN的电子结构 | 第72-75页 |
| ·本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-77页 |
| 第六章 含Bi三元合金的理论研究 | 第77-87页 |
| ·引言 | 第77页 |
| ·GaNBi的性质研究 | 第77-83页 |
| ·GaNBi的电子结构 | 第77-79页 |
| ·GaNBi的光学性质 | 第79-83页 |
| ·InPBi的性质研究 | 第83-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-87页 |
| 第七章 基于低温缓冲层的InP/GaAs异变外延生长 | 第87-103页 |
| ·引言 | 第87-89页 |
| ·缓冲层法InP/GaAs的异变外延生长 | 第89-100页 |
| ·晶体生长与表征技术 | 第89-91页 |
| ·低温缓冲层法InP/GaAs的异变外延生长 | 第91-94页 |
| ·组分渐变缓冲层法InP/GaAs的异变外延生长 | 第94-100页 |
| ·本章小结 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-103页 |
| 第八章 总结与展望 | 第103-105页 |
| 缩略语 | 第105-106页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第106-107页 |
| 致谢 | 第107页 |