| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| TABLE OF CONTENTS | 第13-15页 |
| 图表目录 | 第15-18页 |
| 主要符号表 | 第18-20页 |
| 1 绪论 | 第20-38页 |
| ·研究背景 | 第20-28页 |
| ·金属/SiC接触国内外研究动态 | 第28-35页 |
| ·研究思想及研究内容 | 第35-38页 |
| 2 SiC表面氢等离子体处理研究 | 第38-62页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·等离子体表面处理条件的确立 | 第38-43页 |
| ·ECR等离子体产生原理、特点及装置 | 第38-41页 |
| ·处理条件的确立 | 第41-43页 |
| ·表面分析方法 | 第43-44页 |
| ·SiC表面ECR氢等离子体处理效果分析 | 第44-61页 |
| ·氢处理对表面结构的影响 | 第44-50页 |
| ·氢处理对表面形貌的影响 | 第50-51页 |
| ·表面污染物的去除效果 | 第51-57页 |
| ·抗氧化效果 | 第57-59页 |
| ·表面态密度的消减效果 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 3 N型4H-SiC欧姆接触特性改善及机理研究 | 第62-88页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·欧姆接触实验 | 第62-67页 |
| ·氢等离子体处理对SiC欧姆接触的改善效果 | 第67-68页 |
| ·I-V特性的改善 | 第67页 |
| ·比接触电阻率的降低 | 第67-68页 |
| ·退火温度对欧姆接触特性的影响 | 第68-74页 |
| ·欧姆接触特性随退火温度的变化 | 第68-70页 |
| ·接触界面的微观结构分析 | 第70-74页 |
| ·氢等离子体表面处理对欧姆接触特性改善的机理研究 | 第74-87页 |
| ·Ti/4H-SiC接触势垒高度的变化 | 第74-80页 |
| ·金属/4H-SiC接触势垒与掺杂浓度以及金属功函数之间的关系 | 第80-85页 |
| ·Ti/4H-SiC欧姆接触特性改善机理分析 | 第85-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 4 N型4H-SiC肖特基接触特性改善及机理研究 | 第88-100页 |
| ·引言 | 第88页 |
| ·肖特基接触实验 | 第88-89页 |
| ·氢等离子体处理对SiC肖特基接触特性的改善效果 | 第89-93页 |
| ·Ni接触特性的改善 | 第89-91页 |
| ·Pt接触特性的改善 | 第91-93页 |
| ·氢等离子体处理对肖特基接触特性改善的机理分析 | 第93-98页 |
| ·本章小结 | 第98-100页 |
| 5 金属/n型4H-SiC接触势垒不均匀性分布问题研究 | 第100-120页 |
| ·引言 | 第100页 |
| ·实验 | 第100-102页 |
| ·Pt/4H-SiC接触的肖特基特性 | 第102-110页 |
| ·I-V-T特性 | 第102-104页 |
| ·C-V-T特性 | 第104-107页 |
| ·势垒高度分析 | 第107-110页 |
| ·势垒不均匀性分布 | 第110-113页 |
| ·表面处理对Pt/4H-SiC接触势垒不均匀性分布的影响 | 第113-118页 |
| ·表面电学特性分析 | 第113-116页 |
| ·势垒及势垒不均匀性分布与表面特性关系模型的建立 | 第116-118页 |
| ·本章小结 | 第118-120页 |
| 6 结论与展望 | 第120-124页 |
| ·结论与创新点 | 第120-122页 |
| ·创新点摘要 | 第122-123页 |
| ·展望 | 第123-124页 |
| 参考文献 | 第124-134页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第134-135页 |
| 致谢 | 第135-136页 |
| 作者简介 | 第136-137页 |
