| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-28页 |
| ·区熔单晶硅的发展 | 第11页 |
| ·悬浮区熔法生长单晶硅 | 第11-14页 |
| ·悬浮区熔法生长硅单晶的原理 | 第11-12页 |
| ·悬浮区熔法生长硅单晶的特性 | 第12-14页 |
| ·悬浮区熔法生长单晶硅的重要机构 | 第14-16页 |
| ·炉压控制 | 第14页 |
| ·机械结构 | 第14页 |
| ·高频线圈(RF coil) | 第14-15页 |
| ·零差排硅单晶的生长程序 | 第15-16页 |
| ·悬浮区熔法生长单晶硅的理论考量 | 第16-19页 |
| ·悬浮区熔法熔区熔体流动 | 第16-17页 |
| ·悬浮区熔法熔区的稳定 | 第17-19页 |
| ·悬浮区熔法生长单晶硅的重要参数 | 第19-23页 |
| ·原料棒及子晶转速 | 第19-21页 |
| ·RF线圈内径 | 第21-22页 |
| ·生长速率 | 第22页 |
| ·偏心(Eccentricity) | 第22-23页 |
| ·悬浮区熔法生长单晶硅的掺杂技术(Doping Technique) | 第23-27页 |
| ·核心掺杂法 | 第23-24页 |
| ·溶液涂敷掺杂法 | 第24页 |
| ·填装掺杂法 | 第24-25页 |
| ·中子嬗变掺杂(NTD)法 | 第25页 |
| ·气相掺杂法 | 第25-27页 |
| ·本文的研究内容及意义 | 第27-28页 |
| ·研究目的和意义 | 第27页 |
| ·研究内容 | 第27-28页 |
| 2 实验方案 | 第28-33页 |
| ·实验设备 | 第28-31页 |
| ·区熔单晶炉 | 第28页 |
| ·气相掺杂系统 | 第28-30页 |
| ·气相掺杂区熔硅单晶生长流程 | 第30-31页 |
| ·电阻率测量 | 第31-33页 |
| 3 掺杂气体流量与单晶硅电阻率的关系 | 第33-48页 |
| ·公式探讨 | 第33-35页 |
| ·4寸气相掺杂区熔硅单晶电阻率理论计算与测试分析 | 第35-41页 |
| ·公式理论计算与实际对比 | 第35-39页 |
| ·电阻率分析 | 第39-41页 |
| ·3寸气相掺杂区熔硅单晶电阻率理论计算与测试分析 | 第41-46页 |
| ·公式理论计算与实际对比 | 第41-43页 |
| ·电阻率分析 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 4 气相掺杂区熔硅单晶的的少子寿命研究 | 第48-54页 |
| ·少子寿命的测试方法 | 第48-49页 |
| ·少子寿命的测量与分析 | 第49-53页 |
| ·3种区熔硅单晶少子寿命测试对比 | 第49-50页 |
| ·中子辐照对区熔单晶硅的少子寿命影响 | 第50-51页 |
| ·气相掺杂区熔单晶硅少子寿命测试分析 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 5 电阻率的径向均匀性 | 第54-60页 |
| ·试样的检测与制备 | 第54页 |
| ·电阻率的测试方法 | 第54页 |
| ·单晶制备 | 第54页 |
| ·结果与讨论 | 第54-59页 |
| ·3英寸区熔单晶硅 | 第54-57页 |
| ·4英寸区熔硅单晶 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |