| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| ·半导体量子点 | 第7-9页 |
| ·分子束外延 | 第9-10页 |
| ·S-K生长模式 | 第10-11页 |
| ·扫描隧道显微镜 | 第11-13页 |
| ·研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 实验设备和准备工作 | 第14-24页 |
| ·实验设备的构成 | 第14-16页 |
| ·衬底温度校准 | 第16-18页 |
| ·BEP测定 | 第18-19页 |
| ·薄膜生长 | 第19-24页 |
| ·衬底脱氧 | 第19-21页 |
| ·GaAs缓冲层生长 | 第21-22页 |
| ·InxGa1-xAs薄膜的组分 | 第22-24页 |
| 第三章 源中断方式In_(0.5)Ga_(0.5)As量子点生长工艺 | 第24-48页 |
| ·量子点基本生长条件的探索 | 第24-28页 |
| ·生长工艺对量子点形貌的总体影响 | 第26-27页 |
| ·RHEED振荡测量临界厚度 | 第27-28页 |
| ·镓模板法In_(0.5)Ga_(0.5)As量子点生长工艺 | 第28-37页 |
| ·镓模板法量子点生长原理 | 第29-31页 |
| ·镓模板法量子点实验 | 第31-33页 |
| ·生长工艺对Ga-模板法量子点形貌的影响 | 第33-37页 |
| ·周期性堆叠In_(0.5)Ga_(0.5)As量子点生长工艺 | 第37-42页 |
| ·周期性堆叠量子点生长原理 | 第37-38页 |
| ·周期性堆叠量子点实验 | 第38-40页 |
| ·生长工艺对周期性堆叠量子点的形貌影响 | 第40-42页 |
| ·链状结构In_(0.5)Ga_(0.5)As量子点生长工艺 | 第42-48页 |
| ·链状结构量子点生长原理 | 第43-44页 |
| ·链状结构量子点实验 | 第44-45页 |
| ·生长工艺对链状结构量子点形貌的影响 | 第45-48页 |
| 第四章 In_(0.15)Ga_(0.85)As单层岛熟化时间的预测 | 第48-64页 |
| ·引言 | 第48-50页 |
| ·原子迁移动力学 | 第48-50页 |
| ·表面扩散 | 第50页 |
| ·In_(0.15)Ga_(0.85)As薄膜熟化实验 | 第50-53页 |
| ·半平台扩散模型 | 第53-59页 |
| ·模型简介 | 第53页 |
| ·平均扩散速度 | 第53-55页 |
| ·平均扩散距离 | 第55-56页 |
| ·模型的结果及其误差 | 第56-59页 |
| ·半平台扩散模型的修正和应用 | 第59-64页 |
| ·模型修正 | 第59-60页 |
| ·模型的应用 | 第60-64页 |
| 第五章 结论 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 术语名词缩写索引 | 第70-71页 |
| 攻读硕士期间参加发表的论文和参加科研情况 | 第71-72页 |
