| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 1. 绪论 | 第12-25页 |
| ·光电阴极发展概述 | 第12-13页 |
| ·GaN光电阴极研究现状 | 第13-18页 |
| ·国外GaN光电阴极研究现状 | 第13-16页 |
| ·国内GaN光电阴极研究现状 | 第16-18页 |
| ·GaN光电阴极在紫外像增强器方面的应用 | 第18-22页 |
| ·本文研究的背景和意义 | 第22-23页 |
| ·本文研究的主要工作 | 第23-25页 |
| 2. GaN(0001)面光电发射模型研究 | 第25-45页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·GaN晶体及(0001)表面结构 | 第25-28页 |
| ·GaN晶体体结构及主要参数 | 第25-27页 |
| ·GaN(0001)面结构 | 第27-28页 |
| ·GaAs(100)面光电发射模型 | 第28-34页 |
| ·NEA光电阴极的表面模型 | 第28-31页 |
| ·GaAs(100)面结构 | 第31-32页 |
| ·[GaAs(Zn)-Cs]：[O-Cs]双偶极子模型 | 第32-34页 |
| ·GaN(0001)面光电发射模型 | 第34-42页 |
| ·[GaN(Mg)-Cs]：[O-Cs]双偶极子模型 | 第35-40页 |
| ·GaN(0001)与GaAs(100)表面光电发射模型对比 | 第40-42页 |
| ·GaN(0001)表面第一性原理计算 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 3. GaN光电阴极能带结构与材料设计 | 第45-65页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·GaN光电阴极光电发射理论 | 第45-50页 |
| ·NEA GaN光电阴极的光电发射过程 | 第45-47页 |
| ·NEA GaN光电阴极的量子效率公式推导 | 第47-50页 |
| ·影响NEA GaN光电阴极量子效率的因素 | 第50-54页 |
| ·GaN发射层吸收系数a_(hv) | 第50-52页 |
| ·电子表面逸出几率P | 第52页 |
| ·电子扩散长度L_D | 第52页 |
| ·GaN发射层的厚度T_e | 第52-53页 |
| ·后界面复合速率S_v | 第53-54页 |
| ·纤锌矿结构GaN(0001)光电发射材料生长 | 第54-56页 |
| ·GaN材料的生长技术 | 第54-55页 |
| ·衬底及缓冲层的选取 | 第55-56页 |
| ·反射式GaN光电阴极结构设计 | 第56-60页 |
| ·不同p型掺杂浓度的反射式GaN光电阴极 | 第57页 |
| ·梯度掺杂的反射式GaN光电阴极 | 第57-60页 |
| ·透射式GaN光电阴极结构设计 | 第60-63页 |
| ·采用AlN作为缓冲层的透射式GaN光电阴极 | 第60-62页 |
| ·采用组分渐变Ga_(1-x)Al_xN作为缓冲层的透射式GaN光电阴极 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 4. NEA GaN光电阴极的制备 | 第65-85页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·NEA光电阴极制备与评估系统 | 第65-73页 |
| ·表面分析系统 | 第67-68页 |
| ·超高真空激活系统 | 第68-70页 |
| ·多信息量测控系统 | 第70-73页 |
| ·GaN(0001)表面化学清洗研究 | 第73-79页 |
| ·表面净化意义 | 第73-75页 |
| ·实验过程 | 第75-76页 |
| ·实验结果分析 | 第76-79页 |
| ·GaN在超高真空中二次加热研究 | 第79-82页 |
| ·二次加热GaN光电阴极实验的意义 | 第79页 |
| ·实验过程 | 第79-80页 |
| ·实验结果分析 | 第80-82页 |
| ·不同光照下GaN光电阴极的激活 | 第82-84页 |
| ·不同光照激活实验的意义 | 第82页 |
| ·实验过程 | 第82-84页 |
| ·本章小结 | 第84-85页 |
| 5. NEA GaN光电阴极性能评估 | 第85-104页 |
| ·引言 | 第85页 |
| ·反射式GaN光电阴极的性能评估 | 第85-90页 |
| ·不同掺杂浓度反射式GaN光电阴极的性能 | 第85-87页 |
| ·梯度掺杂反射式GaN光电阴极的性能 | 第87-89页 |
| ·反射式NEA GaN光电阴极衰减及恢复性能 | 第89-90页 |
| ·透射式GaN光电阴极的性能评估 | 第90-95页 |
| ·不同缓冲层结构透射式GaN光电阴极的性能 | 第90-93页 |
| ·不同发射层厚度透射式GaN光电阴极的性能 | 第93-94页 |
| ·透射式与反射式GaN光电阴极性能的对比 | 第94-95页 |
| ·制备工艺对GaN光电阴极性能的影响 | 第95-100页 |
| ·不同化学清洗方法净化后GaN光电阴极的性能 | 第95-97页 |
| ·二次加热对GaN光电阴极性能的影响 | 第97页 |
| ·不同光照下激活后GaN光电阴极性能的对比 | 第97-100页 |
| ·GaN与GaAs光电阴极性能的对比 | 第100-102页 |
| ·GaN与GaAs光电阴极光电流的对比 | 第100页 |
| ·GaN与GaAs光电阴极衰减特性的对比 | 第100-102页 |
| ·本章小结 | 第102-104页 |
| 6. 结束语 | 第104-107页 |
| ·本文工作总结 | 第104-106页 |
| ·本文创新点 | 第106页 |
| ·有待进一步解决的问题 | 第106-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-121页 |
| 附录 | 第121-123页 |
