| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·透明导电薄膜简介 | 第9-12页 |
| ·ZnO基透明导电薄膜及其靶材 | 第10-11页 |
| ·ITO透明导电薄膜及其靶材 | 第11-12页 |
| ·透明导电薄膜的制备方法 | 第12-14页 |
| ·靶材溅射镀膜工艺 | 第12-13页 |
| ·靶材品质评价指标 | 第13-14页 |
| ·氧化物靶材的制备方法 | 第14-16页 |
| ·常压烧结法(Conventional Solid-state Sintering) | 第14页 |
| ·热压法(Hot Pressing,HP) | 第14-15页 |
| ·热等静压法(Hot Isostatic Pressing,HIP) | 第15-16页 |
| ·本文计算模拟方法和理论基础简介 | 第16-22页 |
| ·第一性原理总能计算方法 | 第16-18页 |
| ·压致相变 | 第18页 |
| ·能带结构 | 第18-19页 |
| ·态密度(Density of States,DOS) | 第19-20页 |
| ·固体光学常数间的基本关系 | 第20-22页 |
| ·VASP简介(VASP GUIDE) | 第22页 |
| ·研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 Zn_(1-x)M_xO的总能、结构、磁性和光学性质第一性原理计算 | 第24-46页 |
| ·计算初始文件和参数设置描述 | 第24-29页 |
| ·INCAR | 第25页 |
| ·POSCAR | 第25-27页 |
| ·KPOINTS | 第27-28页 |
| ·POTCAR | 第28-29页 |
| ·结果与讨论 | 第29-45页 |
| ·掺杂效应对晶格参数的影响 | 第30-31页 |
| ·掺杂效应对费米能级的影响 | 第31-32页 |
| ·掺杂效应对电子结构的影响 | 第32-35页 |
| ·掺杂效应对光学性质的影响 | 第35页 |
| ·磁性原子(Co、Mn)掺杂体系Zn_(16)O_(16)的能带结构和态密度 | 第35-38页 |
| ·磁性原子(Co、Mn)掺杂体系Zn_(32)O_(32)的结构有序和磁有序计算 | 第38-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 In_2O_3的结构、压致相变及其掺杂改性研究 | 第46-59页 |
| ·计算初始文件和参数设置描述 | 第46-49页 |
| ·INCAR | 第46-47页 |
| ·POSCAR | 第47-48页 |
| ·KPOINTS | 第48-49页 |
| ·POTCAR | 第49页 |
| ·多晶形态相In_2O_3结构和相变的第一性原理研究 | 第49-55页 |
| ·In_2O_3多晶形态的晶体学结构参数 | 第50-51页 |
| ·In_2O_3多晶形态的电子结构 | 第51-53页 |
| ·In_2O_3弹性模量和压致相变 | 第53-55页 |
| ·In_(15)MO_(24)电子结构和光学性质的第一性原理研究 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 粉末冶金法制备靶材及其性质研究 | 第59-77页 |
| ·实验仪器与试剂 | 第59-60页 |
| ·实验瓷料粒度分布 | 第60-62页 |
| ·材料性能表征方法 | 第62页 |
| ·ZnO基靶材的制备工艺及其性质研究 | 第62-74页 |
| ·成型压力和烧结温度对靶材致密度的影响 | 第63-65页 |
| ·烧结过程中烧结工艺曲线 | 第65-66页 |
| ·靶材性能 | 第66-73页 |
| ·薄膜性能 | 第73-74页 |
| ·ITO靶材的制备工艺初探 | 第74-75页 |
| ·烧结过程中烧结工艺曲线 | 第74页 |
| ·靶材性能 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 附录 | 第85-92页 |
| 个人简历 | 第92-93页 |
| 攻读硕士期间发表和已录用论文清单 | 第93页 |
