| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| ·SOI 技术的发展 | 第12-13页 |
| ·SOI 技术的优势 | 第13-15页 |
| ·体硅技术的劣势 | 第13-14页 |
| ·SOI 器件的优势 | 第14-15页 |
| ·SOI 技术的问题 | 第15-17页 |
| ·自加热效应 | 第15页 |
| ·翘曲效应 | 第15-17页 |
| ·电离辐照效应 | 第17页 |
| ·浮体效应 | 第17页 |
| ·SOI 技术的应用 | 第17页 |
| ·SOI 材料的制备方法 | 第17-21页 |
| ·SIMOX 技术 | 第18-19页 |
| ·硅片键合减薄技术 | 第19页 |
| ·智能剥离技术 | 第19-21页 |
| 第二章 MOS 结构的电离辐照效应 | 第21-29页 |
| ·MOS 结构的电离辐照效应 | 第21-22页 |
| ·MOS 结构电离辐射效应的 C-V 表征 | 第22-27页 |
| ·SOI 器件的总剂量辐照效应 | 第27-29页 |
| 第三章 SIMOX SOI 材料埋氧层的氮氟复合注入改性工艺及表征 | 第29-36页 |
| ·引言 | 第29-30页 |
| ·SIMOX SOI 材料埋氧层的氮氟复合注入 | 第30页 |
| ·氮氟复合注入 SIMOX 材料的 C-V 表征及分析 | 第30-35页 |
| ·材料的 C-V 表征 | 第30-33页 |
| ·材料的 C-V 特性分析 | 第33-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第四章 氮氟复合注入改性 SIMOX SOI 材料的总剂量辐照效应 | 第36-53页 |
| ·氮氟注入对 SIMOX 材料埋氧层总剂量辐照效应的影响 | 第36-42页 |
| ·实验描述 | 第36页 |
| ·实验结果 | 第36-41页 |
| ·讨论分析 | 第41-42页 |
| ·氮氟复合注入改性 SIMOX SOI 材料的辐照后退火效应 | 第42-46页 |
| ·退火实验 | 第42页 |
| ·实验结果 | 第42-45页 |
| ·讨论分析 | 第45-46页 |
| ·高剂量辐照对氮氟复合注入改性 SIMOX SOI 材料总剂量辐照效应的影响 | 第46-51页 |
| ·辐照实验描述 | 第46页 |
| ·辐照实验结果 | 第46-49页 |
| ·结果讨论分析 | 第49-51页 |
| ·小结 | 第51-53页 |
| 第五章 SOI 材料的氮与氟离子注入模拟 | 第53-64页 |
| ·离子注入理论 | 第53-58页 |
| ·离子注入优势 | 第53-54页 |
| ·离子阻止机制 | 第54-56页 |
| ·注入离子在靶材料中的分布 | 第56-58页 |
| ·氮离子注入损伤的计算机模拟 | 第58-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第六章 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 附录 | 第72页 |
