| 英文摘要 | 第1-5页 |
| 中文摘要 | 第5-6页 |
| 前言 | 第6-7页 |
| 第一章 硅单晶的辐照 | 第7-22页 |
| 1．1 引言 | 第7-9页 |
| 1．2 辐照 | 第9-16页 |
| 1．3 辐照缺陷的研究手段 | 第16-18页 |
| 1．4 本工作的研究内容 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-22页 |
| 第二章硅中的氮和氧 | 第22-36页 |
| 2．1 引言 | 第22页 |
| 2．2 直拉硅单晶中的氧 | 第22-26页 |
| 2．3 氮以及氮氧复合体 | 第26-32页 |
| 2．4 碳 | 第32-33页 |
| 2．5 总结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第三章 中子辐照硅单晶的电学性能的研究 | 第36-46页 |
| 3．1 引言 | 第36页 |
| 3．2 实验 | 第36-37页 |
| 3．3 实验结果与分析 | 第37-44页 |
| 3．4 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第四章 中子辐照微氮直拉硅单晶中A中心及相关缺陷的研究 | 第46-58页 |
| 4．1 引言 | 第46页 |
| 4．2 实验 | 第46-47页 |
| 4．3 实验结果与讨论 | 第47-56页 |
| 4．4 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第五章 辐照缺陷对微氮直拉硅单晶中氧沉淀的影响 | 第58-70页 |
| 5．1 引言 | 第58页 |
| 5．2 实验 | 第58-60页 |
| 5．3 实验结果及分析 | 第60-68页 |
| 5．4 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-70页 |
| 第六章 总结 | 第70-71页 |
| 读研期间发表的文章 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |