当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
多晶相半导体纳米晶的控制合成及关键因素研究
nc-Si:H薄膜的制备及光学特性研究
掺杂ZnTe的第一性原理研究
表面等离激元增强的CdTe量子点荧光特性研究
光发射内量子效率高达60%的a-SiN_x:O薄膜发光机制和瞬态动力学的研究
选择性横向外延生长半极性面GaN材料及器件光电性质研究
高质量ZnO薄膜的MOCVD外延生长与原位掺杂
二维材料MoS2发光增强的缺陷工程研究
有机半导体材料的合成及材料结构理化性质的研究
ZnO单晶micro-PL及其在声表面波器件的仿真研究
氢化物气相外延生长GaN的数值模拟
基于数值模拟的HVPE反应器设计与优化
可溶液加工的二芳基芴类有机光电多孔聚合物合成、表征及其性能研究
导纳谱法研究有机半导体的界面陷阱自由能,前置因子和陷阱态密度
基于苯并噻二唑的二维多环芳烃共轭分子的设计合成及应用
SiC MOS器件界面特性的ECR等离子体SiC表面改性研究
电子束熔炼去除硅中氧、碳及其化合物的研究
黄铁矿的组织结构与光电性能研究
氧化镁衬底铝铟氧化物薄膜的制备及特性研究
沉金后液中硒碲的回收及热力学分析
层状MoS2/Cu2O复合半导体的制备及其光催化性能研究
Pd掺杂花状In2O3微结构的制备及其气敏特性研究
三维生长工艺对GaN外延层质量和阱厚对InGaN/GaN多量子阱光学性能的影响
铁铜共掺杂TiO2稀磁半导体的结构与磁性能研究
多孔硅热致超声发射的建模研究
新型半导体纳米晶的合成及光电性能研究
碳化硅功率器件关键工艺研究
ZnO薄膜光电性能调控技术研究
离子掺杂对宽禁带半导体微纳米材料形貌和光学性质的调控
Ⅱ-Ⅵ半导体核壳纳米晶、掺杂纳米晶的调控合成及性能研究:阳离子交换反应的新应用
飞秒激光诱导晶体材料偏振依赖性烧蚀特性研究
碱金属元素Li掺杂对SnTMO2(TM=Fe,Ni,Mn,Cr,Co)结构与磁性的影响
基于模糊FMEA方法的改进西门子生产硅风险分析--以长治市硅矿为例
P掺杂Ca2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算
PECVD制备a-Si:H(nc-Si:H)/a-SiC:H多层薄膜的光电特性研究
ZnMgO/ZnO异质结构中二维电子气电学性能研究
ALD法制备AZO薄膜及光电性质研究
有机半导体材料的激光性能研究
超声波雾化施液技术抛光硅片的表层损伤研究
CdSexS1-x半导体电子结构与光学性质的研究
AZO种子层和银掺杂对水热法生长氧化锌纳米棒的影响
可见光响应型TiO2-x/半导体异质(相)结的构筑与光电转换性能研究
基于金属氧化物半导体的人工光合作用
SAXS Channel-cut分光晶体加工与检测研究
长脉冲激光辐照单晶硅的损伤特性研究
非均匀Fe-Ti-O磁性半导体薄膜的结构、磁性和电输运特性
氧化镍薄膜基甲醛气敏特性及其改性研究
GaN宽禁带器件管芯参数提取技术研究
微纳结构材料的制备及其应用性能研究
基于宏孔硅的三维光子晶体制备技术研究
上一页
[24]
[25]
[26]
[27]
[28]
下一页