| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-11页 |
| 目录 | 第11-14页 |
| 第一章 引言 | 第14-34页 |
| ·红外探测器的发展历程 | 第14-18页 |
| ·红外探测简介 | 第14-16页 |
| ·红外焦平面列阵的发展 | 第16-18页 |
| ·碲镉汞材料的实验制备 | 第18-20页 |
| ·碲镉汞材料中的缺陷 | 第20-24页 |
| ·本征缺陷 | 第21-22页 |
| ·掺杂缺陷 | 第22-24页 |
| ·碲镉汞材料掺杂问题的研究进展 | 第24-27页 |
| ·本论文的工作 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-34页 |
| 第二章 第一性原理计算方法 | 第34-48页 |
| ·第一性原理计算方法概述 | 第34-35页 |
| ·密度泛函理论框架概述 | 第35-39页 |
| ·绝热近似 | 第36页 |
| ·Hohenberg–Kohn定理和Kohn–Sham方程 | 第36-38页 |
| ·交换关联近似 | 第38-39页 |
| ·能带计算方法 | 第39-41页 |
| ·第一性原理计算理论的应用 | 第41-44页 |
| 参考文献 | 第44-48页 |
| 第三章 As掺杂缺陷态的研究 | 第48-63页 |
| ·引言 | 第48-50页 |
| ·计算方法 | 第50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-59页 |
| ·缺陷形成能分布 | 第50-53页 |
| ·AsHg与VHg长程相互作用表征 | 第53-59页 |
| ·结合能计算 | 第53-55页 |
| ·缺陷几何结构分析 | 第55-57页 |
| ·电子结构表征 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 第四章 Te反位缺陷的掺杂特性 | 第63-78页 |
| ·引言 | 第63-65页 |
| ·计算方法 | 第65-66页 |
| ·计算结果与讨论 | 第66-74页 |
| ·缺陷体系几何结构和结合能分析 | 第66-69页 |
| ·电子结构计算和缺陷掺杂行为表征 | 第69-72页 |
| ·缺陷形成能计算 | 第72-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 第五章 复合缺陷对As掺杂p型激活路径的影响 | 第78-92页 |
| ·引言 | 第78-80页 |
| ·计算方法 | 第80-81页 |
| ·结果与讨论 | 第81-87页 |
| ·Berding模型与间隙位迁移模型 | 第81页 |
| ·多空位模型 | 第81-83页 |
| ·TeHg–VHg复合缺陷调制p型激活模型 | 第83-87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-92页 |
| 第六章 其他V族元素实现p型掺杂的可能性 | 第92-103页 |
| ·引言 | 第92-93页 |
| ·计算方法 | 第93-94页 |
| ·结果与讨论 | 第94-99页 |
| ·替位掺杂 | 第94-96页 |
| ·非替位掺杂 | 第96-99页 |
| ·本章小结 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-103页 |
| 第七章 总结与展望 | 第103-106页 |
| ·论文总结 | 第103-105页 |
| ·后续工作展望 | 第105页 |
| 参考文献 | 第105-106页 |
| 附录A 一些窄禁带半导体材料的物理性质 | 第106-107页 |
| 附录B 文中涉及到的点群的特征标表 | 第107-109页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第109-110页 |