| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstrat | 第5-9页 |
| 第1章 文献综述 | 第9-23页 |
| ·研究背景 | 第9-11页 |
| ·碳化硅材料 | 第9-11页 |
| ·碳化硅金属氧化物半导体场效应管 | 第11-14页 |
| ·SiC击穿场强和击穿电压 | 第11-12页 |
| ·SiC MOSFET | 第12-14页 |
| ·制造碳化硅场效应管面临的挑战 | 第14-19页 |
| ·SiC晶体质量 | 第14页 |
| ·栅氧化物 | 第14-15页 |
| ·SiO_2/SiC界面 | 第15-16页 |
| ·界面缺陷 | 第16-18页 |
| ·界面的钝化 | 第18-19页 |
| ·高k材料 | 第19-21页 |
| ·研究高k材料的意义 | 第19-20页 |
| ·A_2O_3高k材料 | 第20-21页 |
| ·本文的主要工作 | 第21-23页 |
| 第2章 样品制备及表征 | 第23-30页 |
| ·Al_2O_3/4H-SiC MOS结构的制备 | 第23-27页 |
| ·ALD制备Al_2O_3高k材料 | 第24页 |
| ·光刻图形化 | 第24-25页 |
| ·磁控溅射 | 第25-26页 |
| ·快速退火炉 | 第26页 |
| ·热氧化炉 | 第26-27页 |
| ·样品的表征 | 第27-30页 |
| 第3章 Al_2O_3/4H-SiC MOS电子输运机制研究 | 第30-41页 |
| ·MOS结构的导电机制 | 第30-32页 |
| ·Al_2O_3/4H-SiC MOS结构制备 | 第32-34页 |
| ·温度、场强对Al_2O_3/4H-SiC MOS电子输运影响 | 第34-38页 |
| ·较低温度下的输运机制 | 第34-37页 |
| ·较高温度下的输运机制 | 第37-38页 |
| ·Al_2O_3中的陷阱能级 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第4章 退火方式对Al_2O_3陷阱能级的影响 | 第41-55页 |
| ·退火方式对Al_2O_3表面形貌的影响 | 第41-43页 |
| ·低温慢速退火的影响 | 第43-50页 |
| ·对Al_2O_3表面形貌的影响 | 第43-44页 |
| ·MOS400的电学性能 | 第44-45页 |
| ·MOS500的电学性能 | 第45-47页 |
| ·500℃O_2氛围慢速退火对Al_2O_3能带结构的影响 | 第47-50页 |
| ·两步退火法 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第5章 栅极材料对 4H-SiC MOS界面态的影响 | 第55-74页 |
| ·理论分析 | 第55-60页 |
| ·Al_2O_3/4H-SiC MOS结构的界面态密度 | 第60-64页 |
| ·SiO_2/4H-SiC的界面态 | 第64页 |
| ·栅材料对 4H-SiC界面态的影响 | 第64-72页 |
| ·NO退火 | 第66-68页 |
| ·O_2退火 | 第68-69页 |
| ·HF刻蚀对ALD的影响 | 第69-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 第6章 结论与展望 | 第74-76页 |
| ·结论 | 第74-75页 |
| ·进一步工作的方向 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 攻读硕士期间主要研究成果 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
