| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 摩尔定律与纳米尺寸MOSFET的继续缩小 | 第9-13页 |
| 1.1.1 摩尔定律与MOSFET尺寸的缩小 | 第9-10页 |
| 1.1.2 纳米尺寸MOSFET继续缩小面临的问题和解决方案 | 第10-13页 |
| 1.2 多面栅MOSFET的研究现状 | 第13-21页 |
| 1.2.1 SOI的使用 | 第13-14页 |
| 1.2.2 多面栅MOSFET的特点 | 第14-15页 |
| 1.2.3 无结晶体管 | 第15-21页 |
| 1.3 本论文的研究内容与章节安排 | 第21-23页 |
| 第二章 多面栅FinFET的模型与计算 | 第23-39页 |
| 2.1 器件沟道电势 | 第23-25页 |
| 2.2 两种简化计算泊松方程的方法 | 第25-26页 |
| 2.3 抛物线近似法 | 第26-38页 |
| 2.3.1 全耗尽结构下的抛物线方程和边界条件 | 第26-30页 |
| 2.3.2 对单栅双栅以及围栅器件的本征长度λ进行计算 | 第30-32页 |
| 2.3.3 用λ计算阈值电压V_(Th) | 第32-34页 |
| 2.3.4 抛物线近似下的有效传输路径 | 第34-35页 |
| 2.3.5 电势叠加法或Evanescent Mode | 第35-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 多种结构MOSFET模型分析 | 第39-52页 |
| 3.1 未掺杂器件电势叠加法分析(垂直方向分解法) | 第39-46页 |
| 3.1.1 未掺杂双栅器件(垂直方向分解法) | 第39-43页 |
| 3.1.2 未掺杂围栅器件(垂直方向分解法) | 第43-46页 |
| 3.2 未掺杂电势叠加法分析 (输运方向分解) | 第46-51页 |
| 3.2.1 未掺杂的双栅器件(输运方向分解法) | 第46-48页 |
| 3.2.2 未掺杂围栅器件 (输运方向分解法) | 第48-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 模型计算方法及计算结果及分析 | 第52-68页 |
| 4.1 抛物线近似模型和电势叠加模型计算结果分析 | 第52-56页 |
| 4.2 计算方法对比 | 第56-57页 |
| 4.3 对双栅结构无结晶体管的分析 | 第57-63页 |
| 4.3.1 无结双栅晶体管与传统晶体管模型计算结果对比 | 第61-63页 |
| 4.4 器件导通状态模拟分析 | 第63-67页 |
| 4.4.1 表面输运 | 第63-64页 |
| 4.4.2 无结晶体管工作状态 | 第64页 |
| 4.4.3 器件模拟 | 第64-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 结论与展望 | 第68-69页 |
| 5.1 全文总结 | 第68页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 附录 | 第75-76页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第76-77页 |
