| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 专用术语注释表 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·碳纳米管介绍 | 第9-14页 |
| ·碳基场效应管的研究现状 | 第14-19页 |
| ·论文的主要工作和创新 | 第19页 |
| ·本论文结构 | 第19-21页 |
| 第二章 量子输运理论 | 第21-26页 |
| ·非平衡格林函数 | 第21-23页 |
| ·Dyson方程 | 第23-24页 |
| ·Landauer - Büttiker输运理论 | 第24-26页 |
| 第三章 新型碳纳米场效应晶体管的电学输运特性 | 第26-38页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·器件结构 | 第27-29页 |
| ·源漏轻掺杂异质栅碳纳米场效应晶体管稳态特性的研究 | 第29-34页 |
| ·源漏轻掺杂异质栅碳纳米场效应晶体管高频特性的研究 | 第34-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 基于新型碳纳米场效应管构建二值和多值数字电路 | 第38-71页 |
| ·源漏轻掺杂异质栅碳纳米场效应晶体管电路模型的构建 | 第38-41页 |
| ·源漏轻掺杂异质栅碳纳米场效应晶体管构建二值数字电路的研究 | 第41-48页 |
| ·源漏轻掺杂异质栅碳纳米场效应晶体管反相器的实现 | 第42-44页 |
| ·源漏轻掺杂异质栅碳纳米场效应晶体管态存储的实现 | 第44-48页 |
| ·源漏轻掺杂异质栅碳纳米场效应晶体管构建多值数字电路的研究 | 第48-60页 |
| ·源漏轻掺杂异质栅碳纳米场效应晶体管多值反相器的实现 | 第49-53页 |
| ·源漏轻掺杂异质栅碳纳米场效应晶体管多值静态存储器的实现 | 第53-60页 |
| ·源漏轻掺杂异质栅碳纳米场效应晶体管在微脉冲发生器中的应用 | 第60-64页 |
| ·场效应管栅极隧穿电流对逻辑电路功能的影响 | 第64-70页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·栅电流模型 | 第64-66页 |
| ·栅电流模型在电路中的应用 | 第66-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 硅基纳米自旋场效应管的输运特性及其电路研究 | 第71-84页 |
| ·硅基纳米自旋场效应管 | 第71-73页 |
| ·硅基纳米自旋场效应管的输运特性 | 第73-79页 |
| ·自旋场效应晶体管建模 | 第73-77页 |
| ·仿真结果讨论 | 第77-79页 |
| ·硅基纳米自旋场效应管电路特性研究 | 第79-83页 |
| ·基于自旋场效应管反相器的实现 | 第79-80页 |
| ·基于自旋场效应管动态存储器的实现 | 第80-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第六章 总结与展望 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-90页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第90-91页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第91页 |
