| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 1 绪论 | 第13-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第13-14页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第14-17页 |
| 1.2.1 传统CBCM方法 | 第14-15页 |
| 1.2.2 对于传统CBCM方法的改进版本 | 第15-16页 |
| 1.2.3 当前各种CBCM方法的局限性 | 第16-17页 |
| 1.3 文章创新点与结构安排 | 第17-18页 |
| 2 一种全新的SDCBCM测试结构 | 第18-33页 |
| 2.1 CIEF CBCM方法 | 第18-20页 |
| 2.1.1 电荷注入效应导致的误差 | 第19页 |
| 2.1.2 CIEF CBCM方法的工作原理 | 第19-20页 |
| 2.2 SDCBCM方法原理介绍 | 第20-25页 |
| 2.2.1 SDCBCM电路结构 | 第21页 |
| 2.2.2 SDCBCM测试步骤 | 第21-25页 |
| 2.3 SDCBCM控制信号产生方法 | 第25-27页 |
| 2.3.1 原始波形的产生——环形振荡器 | 第25-26页 |
| 2.3.2 一种新型的相对恒定频率产生电路 | 第26-27页 |
| 2.3.3 互不交叠时钟发生电路 | 第27页 |
| 2.4 SDCBCM片上实测结果 | 第27-32页 |
| 2.4.1 电容测量阵列 | 第28-29页 |
| 2.4.2 测量数据分析 | 第29-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 3 一种全新的MCCBCM测试结构 | 第33-54页 |
| 3.1 MCCBCM方法相关的研究工作 | 第33-35页 |
| 3.1.1 MOSFET寄生电容模型 | 第33-34页 |
| 3.1.2 现有的一些MOSFET电容分离提取实测方法 | 第34-35页 |
| 3.2 MCCBCM方法原理介绍 | 第35-38页 |
| 3.2.1 Leakage and parasitic-insensitive CBCM方法 | 第35-37页 |
| 3.2.2 MCCBCM方法电路结构 | 第37-38页 |
| 3.3 MCCBCM方法针对不同MOSFET寄生电容的具体测量步骤 | 第38-46页 |
| 3.3.1 分压作用影响可以忽略不计时的测量步骤 | 第38-41页 |
| 3.3.2 分压作用影响不可忽略不计时的测量步骤 | 第41-46页 |
| 3.4 MCCBCM片上实测结果 | 第46-52页 |
| 3.4.1 矩阵式测量阵列(DMA) | 第46-48页 |
| 3.4.2 测量数据分析 | 第48-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 4 两种CBCM电路的设计与测试流程 | 第54-60页 |
| 4.1 SPICE仿真 | 第54-56页 |
| 4.1.1 单元测试电路的SPICE仿真 | 第54-55页 |
| 4.1.2 测量阵列的SPICE仿真 | 第55-56页 |
| 4.2 芯片版图设计 | 第56-58页 |
| 4.2.1 单元测量电路的版图设计 | 第56-57页 |
| 4.2.2 测量阵列的版图设计 | 第57-58页 |
| 4.3 芯片测试和结果分析 | 第58-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 5 总结与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 工作总结 | 第60-61页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读学位期间科研成果 | 第66页 |
