| 摘要 | 第1-15页 |
| ABSTRACT | 第15-21页 |
| 符号表 | 第21-23页 |
| 第一章 绪论 | 第23-44页 |
| §1-1 GaN器件的研究背景及意义 | 第23-25页 |
| §1-2 AlGaN/GaN HFET发展历史及研究进展 | 第25-33页 |
| 1-2-1 国际AlGaN/GaN HFET发展历史及研究进展 | 第26-30页 |
| 1-2-2 国内AlGaN/GaN HFET发展历史及研究进展 | 第30-33页 |
| §1-3 GaN器件面临的主要问题 | 第33-34页 |
| §1-4 本论文的研究内容与安排 | 第34-37页 |
| 参考文献 | 第37-44页 |
| 第二章 器件制备与测试 | 第44-61页 |
| §2-1 AlGaN/GaN异质结材料的外延生长 | 第44-47页 |
| 2-1-1 衬底的选择 | 第44-46页 |
| 2-1-2 异质结外延生长 | 第46-47页 |
| §2-2 器件制备 | 第47-49页 |
| 2-2-1 清洗工艺 | 第47页 |
| 2-2-2 图形曝光工艺 | 第47-48页 |
| 2-2-3 器件隔离工艺 | 第48页 |
| 2-2-4 欧姆接触工艺 | 第48-49页 |
| 2-2-5 肖特基接触工艺 | 第49页 |
| 2-2-6 钝化工艺 | 第49页 |
| §2-3 AlGaN/GaN异质结材料与器件测试 | 第49-57页 |
| 2-3-1 霍尔(Hall)测试 | 第49-50页 |
| 2-3-2 电容电压(CV)测试 | 第50-51页 |
| 2-3-3 直流(DC)测试 | 第51-54页 |
| 2-3-4 拉曼(Raman)光谱与光致发光(PL)谱测试 | 第54-55页 |
| 2-3-5 原子力显微镜(AFM)测试 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 第三章 AlGaN/GaN异质结场效应晶体管中异质结界面附加极化电荷分布确定及势垒层应变能分析 | 第61-75页 |
| §3-1 不同尺寸AlGaN/GaN HFET器件栅下载流子低场迁移率 | 第62-64页 |
| §3-2 理论模型自洽迭代方法确定AlGaN/GaN异质结界面附加极化电荷分布 | 第64-70页 |
| §3-3 势垒层应变能分析 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 第四章 极化库仑场散射对AlGaN/GaN异质结场效应晶体管栅源接触区电阻和非本征跨导的影响 | 第75-109页 |
| §4-1 不同栅源电流下栅源接触区电阻R_s的变化 | 第76-84页 |
| §4-2 各直流静态工作点下栅源接触区电阻R_s的确定 | 第84-90页 |
| §4-3 极化库仑场散射对栅源接触区电阻R_s的作用机理 | 第90-95页 |
| §4-4 极化库仑场散射对栅源接触区电阻R_s的影响 | 第95-98页 |
| §4-5 栅宽对非本征跨导特性的影响 | 第98-102页 |
| §4-6 极化库仑场散射角度分析器件优化 | 第102-106页 |
| 参考文献 | 第106-109页 |
| 第五章 衬底厚度及衬底偏压对AlGaN/GaN异质结场效应晶体管性能的影响 | 第109-125页 |
| §5-1 衬底厚度对GaN缓冲层应变及器件性能的影响 | 第110-116页 |
| §5-2 衬底偏压对GaN缓冲层漏电流及器件开关特性的影响 | 第116-122页 |
| 参考文献 | 第122-125页 |
| 第六章 结论 | 第125-129页 |
| 致谢 | 第129-131页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第131-135页 |
| Paper 1 | 第135-142页 |
| Paper 2 | 第142-149页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第149页 |
