| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 符号对照表 | 第13-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-26页 |
| ·研究背景 | 第18-23页 |
| ·辐射环境 | 第18-20页 |
| ·SOI器件的优越性 | 第20-21页 |
| ·SOI器件的辐射效应 | 第21-23页 |
| ·研究现状和意义 | 第23页 |
| ·研究目标和内容 | 第23-26页 |
| 第二章 MOS器件辐射效应的产生机制以及失效表征方法 | 第26-34页 |
| ·MOS器件的总剂量效应研究机制 | 第26-29页 |
| ·电荷产生 | 第27-28页 |
| ·氧化层陷阱 | 第28页 |
| ·界面陷阱 | 第28-29页 |
| ·辐照引起器件特性变化 | 第29-31页 |
| ·器件辐照表征和测试分析方法 | 第31-33页 |
| ·器件性能退化与参量表征 | 第31-32页 |
| ·器件测试方法与分析方法 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 未加固 SOI 器件的总剂量辐射效应研究 | 第34-60页 |
| ·实验方案 | 第34-36页 |
| ·实验样品 | 第35-36页 |
| ·总剂量实验和测试条件 | 第36页 |
| ·偏置条件对SOI NMOS器件总剂量效应的影响 | 第36-41页 |
| ·辐照实验偏置条件的影响 | 第37页 |
| ·测量偏置条件的影响 | 第37-40页 |
| ·辐照对器件体电流的影响 | 第40-41页 |
| ·总剂量辐照条件下的Kink效应研究 | 第41-46页 |
| ·线性区Kink效应 | 第42页 |
| ·碰撞电离引起的Kink效应 | 第42-44页 |
| ·背栅异常的“Kink效应” | 第44-46页 |
| ·PD SOI的背栅最劣偏置研究 | 第46-52页 |
| ·偏置条件对SOI器件的背栅阈值电压漂移影响 | 第46-49页 |
| ·模拟工具及模型参数的选择 | 第49-51页 |
| ·不同偏置条件SOI器件的背栅晶体管仿真研究 | 第51-52页 |
| ·热载流子和辐照耦合效应的研究 | 第52-58页 |
| ·实验方案设计 | 第53-54页 |
| ·实验结果分析 | 第54-56页 |
| ·热载流子和辐射耦合效应的跨导模型 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 加固SOI器件的总剂量辐射效应研究 | 第60-74页 |
| ·SOI材料加固研究 | 第60-62页 |
| ·Si+注入技术改性加固SIMOX材料的原理 | 第60页 |
| ·样品制备和辐照实验 | 第60-61页 |
| ·实验结果与分析 | 第61-62页 |
| ·SOI器件加固研究 | 第62-65页 |
| ·SOI器件工艺优化加固方法 | 第62-63页 |
| ·SOI器件版图优化加固方法 | 第63-65页 |
| ·加固SOI器件的总剂量辐照研究 | 第65-72页 |
| ·加固SOI NMOS前栅特性研究 | 第66-70页 |
| ·加固SOI NMOS背栅特性研究 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 第五章 MOS器件单粒子效应仿真研究 | 第74-86页 |
| ·单粒子注入模型 | 第74-75页 |
| ·NMOS器件中单粒子瞬态电流收集机制 | 第75-83页 |
| ·仿真物理模型和结构 | 第75-78页 |
| ·数值结果和分析 | 第78-83页 |
| ·NMOS器件中漏极电压随时间的变化 | 第83页 |
| ·本章小结 | 第83-86页 |
| 第六章 SOI器件单粒子效应仿真研究 | 第86-106页 |
| ·二维SOI器件的单粒子效应仿真 | 第86-94页 |
| ·双极放大效应的物理机制 | 第86-88页 |
| ·仿真结构和选取的物理模型 | 第88-90页 |
| ·模拟结果和分析 | 第90-94页 |
| ·三维SOI器件单粒子效应仿真 | 第94-99页 |
| ·单子里入射半导体的径迹 | 第94页 |
| ·三维单粒子效应仿真的器件结构 | 第94-96页 |
| ·调整三维仿真程序中的物理模型 | 第96-98页 |
| ·二维和三维SOI器件的单粒子仿真效应比较 | 第98-99页 |
| ·总剂量条件下SOI器件的单粒子效应 | 第99-104页 |
| ·计算栅氧和埋氧层中的有效空穴电荷密度 | 第100-101页 |
| ·总剂量条件下的SOI器件的单粒子效应仿真 | 第101-104页 |
| ·本章小结 | 第104-106页 |
| 第七章 结论和展望 | 第106-108页 |
| ·研究结论 | 第106-107页 |
| ·研究展望 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 作者简介 | 第118-120页 |
| 1.基本情况 | 第118页 |
| 2.教育背景 | 第118页 |
| 3.在学期间的研究成果 | 第118-120页 |