| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-15页 |
| 符号对照表 | 第15-17页 |
| 缩略语对照表 | 第17-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-27页 |
| ·氮化镓材料在电力电子领域的优势 | 第21-23页 |
| ·氮化镓基电力电子器件的研究进展 | 第23-25页 |
| ·本论文的研究内容和安排 | 第25-27页 |
| 第二章 基础问题讨论 | 第27-43页 |
| ·材料生长与器件工艺 | 第27-31页 |
| ·材料生长及材料结构 | 第27-28页 |
| ·器件工艺制造 | 第28-31页 |
| ·器件仿真中的问题 | 第31-36页 |
| ·器件模型 | 第31-32页 |
| ·击穿电压的判定 | 第32-35页 |
| ·基于耗尽区宽度的讨论 | 第35-36页 |
| ·基本参数判断标准的讨论 | 第36-39页 |
| ·最大输出电流 | 第36-37页 |
| ·阈值电压 | 第37页 |
| ·栅漏电 | 第37-38页 |
| ·击穿电压 | 第38页 |
| ·特征导通电阻 | 第38-39页 |
| ·GaN基HEMT击穿机制的讨论 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 肖特基漏HEMT相关击穿机理研究 | 第43-59页 |
| ·肖特基漏提高击穿特性的机理研究 | 第43-49页 |
| ·肖特基漏HEMT输出转移特性 | 第43-45页 |
| ·肖特基漏HEMT击穿特性 | 第45-49页 |
| ·漏场板对反偏阻断电压的提高作用 | 第49-54页 |
| ·仿真模型的设定 | 第49-50页 |
| ·漏场板对反偏阻断电压的影响 | 第50-54页 |
| ·漏场板对正偏阻断特性的影响 | 第54-58页 |
| ·器件仿真设计 | 第54-55页 |
| ·漏场板对正偏阻断电压的影响 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 新型耗尽电容模型的提出 | 第59-73页 |
| ·高k钝化层提高GaN基HEMT击穿电压 | 第59-61页 |
| ·击穿电压随介电常数的变化关系 | 第59-61页 |
| ·击穿电压随钝化层厚度的变化关系 | 第61页 |
| ·新型耗尽电容模型 | 第61-69页 |
| ·耗尽电容模型的提出 | 第62-64页 |
| ·介电常数对击穿特性影响的分析解释 | 第64-66页 |
| ·钝化层厚度对击穿特性影响的分析解释 | 第66-67页 |
| ·栅金属厚度和场板厚度对击穿电压的影响 | 第67-69页 |
| ·采用高k钝化层实现的高特性AlGaN/GaN HEMT | 第69-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 高性能器件 | 第73-89页 |
| ·AlGaN沟道HEMT器件 | 第73-78页 |
| ·AlGaN沟道HEMT器件直流特性 | 第73-75页 |
| ·AlGaN沟道HEMT的陷阱态研究 | 第75-78页 |
| ·增强型InAlN/GaN MISHEMT器件 | 第78-83页 |
| ·1.8 kV环形AlGaN/GaN HEMT器件 | 第83-87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 第六章 GaN基HEMT击穿表征方法的分析研究 | 第89-105页 |
| ·常规击穿表征方法存在问题的提出 | 第90-92页 |
| ·关于泄漏电流和击穿曲线的讨论 | 第92-100页 |
| ·泄漏电流与击穿曲线 | 第92-95页 |
| ·泄漏电流和击穿机理的关系 | 第95-99页 |
| ·关态应力击穿 | 第99-100页 |
| ·改进的击穿表征方法 | 第100-102页 |
| ·本章小结 | 第102-105页 |
| 第七章 总结与展望 | 第105-109页 |
| ·本论文总结 | 第105-107页 |
| ·未来工作展望 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-119页 |
| 致谢 | 第119-121页 |
| 作者简介 | 第121-125页 |