| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·集成电路发展概况 | 第11-13页 |
| ·MOSFET面临的问题及应对策略 | 第13-19页 |
| ·栅工程 | 第13-15页 |
| ·沟道工程 | 第15-16页 |
| ·源漏工程 | 第16-17页 |
| ·特殊结构器件 | 第17-18页 |
| ·高k栅介质 | 第18-19页 |
| ·MOSFET未来的发展趋势 | 第19-21页 |
| ·Ⅲ-Ⅴ簇/锗MOSFET | 第19-20页 |
| ·纳米线MOSFET | 第20-21页 |
| ·论文的主要内容和结构安排 | 第21-23页 |
| 第二章 MOSFET器件解析模型建模理论基础 | 第23-39页 |
| ·抛物线模型 | 第23-25页 |
| ·准二维模型 | 第25-28页 |
| ·半解析模型 | 第28-37页 |
| ·泊松方程及其边界条件 | 第28-30页 |
| ·Ⅰ区电势求解 | 第30-32页 |
| ·Ⅱ区电势的求解 | 第32-34页 |
| ·求解待定系数 | 第34-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 单材料双功函数栅MOSFET表面势解析模型及特性分析 | 第39-65页 |
| ·表面势模型及仿真 | 第39-47页 |
| ·表面势解析模型 | 第39-44页 |
| ·表面势验证与分析 | 第44-47页 |
| ·阈值电压的计算与仿真 | 第47-48页 |
| ·栅电容的计算与仿真 | 第48-54页 |
| ·栅电容的计算 | 第49-50页 |
| ·栅电容的特性 | 第50-54页 |
| ·导通电阻特性 | 第54-57页 |
| ·导通电阻的组成 | 第55页 |
| ·导通电阻特性仿真 | 第55-57页 |
| ·伏安特性 | 第57-61页 |
| ·沟道内电场分布特性 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-65页 |
| 第四章 单材料双功函数轻掺杂漏MOSFET表面势解析模型及特性分析 | 第65-91页 |
| ·单材料双功函数轻掺杂漏MOSFET器件结构及工艺 | 第65-69页 |
| ·SMDWG LDD MOSFET器件表面势 | 第69-77页 |
| ·表面势解析模型 | 第69-73页 |
| ·表面势验证与分析 | 第73-77页 |
| ·SMDWG LDD MOSFET器件特性仿真 | 第77-88页 |
| ·电流输出特性 | 第77-78页 |
| ·转移特性 | 第78-80页 |
| ·栅漏电容特性 | 第80-82页 |
| ·栅源电容特性 | 第82-84页 |
| ·导通电阻 | 第84-86页 |
| ·电场分布特性 | 第86-88页 |
| ·本章小结 | 第88-91页 |
| 第五章 堆叠栅介质异质栅全耗尽SOI MOSFET表面势解析模型 | 第91-103页 |
| ·表面势解析模型 | 第91-96页 |
| ·表面势验证与分析 | 第96-101页 |
| ·本章小结 | 第101-103页 |
| 第六章 结论和展望 | 第103-107页 |
| ·结论 | 第103-105页 |
| ·展望 | 第105-107页 |
| 参考文献 | 第107-123页 |
| 致谢 | 第123-125页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第12页 |
