| 摘要 | 第8-12页 |
| ABSTRACT | 第12-16页 |
| 符号表 | 第18-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-43页 |
| §1-1 GaN电子器件研究背景 | 第19-23页 |
| 1-1-1 GaN材料特性 | 第19-21页 |
| 1-1-2 AlGaN/GaN电子器件的应用 | 第21-23页 |
| §1-2 AlGaN/GaN异质结电力电子器件市场发展现状 | 第23-27页 |
| §1-3 AlGaN/GaN异质结材料及器件研究进展 | 第27-33页 |
| 1-3-1 AlGaN/GaN异质结材料发展历史 | 第27-28页 |
| 1-3-2 国内外AlGaN/GaN HFETs器件变温电学特性研究进展 | 第28-33页 |
| §1-4 本论文的研究内容及安排 | 第33-36页 |
| 参考文献 | 第36-43页 |
| 第二章 GaN、AlN、AlGaN材料参数的温度依赖关系 | 第43-55页 |
| §2-1 GaN、AlN、AlGaN的晶格常数与温度的关系 | 第43-46页 |
| §2-2 温度对GaN、AlN、AlGaN的禁带宽度和有效质量的影响 | 第46-47页 |
| §2-3 GaN、AlN、AlGaN的介电常数与温度的关系 | 第47-48页 |
| §2-4 GaN、AlN、AlGaN的热电性 | 第48-53页 |
| 2-4-1 GaN、AlN、AlGaN的自发极化 | 第48-49页 |
| 2-4-2 GaN、AlN、AlGaN的压电极化 | 第49-51页 |
| 2-4-3 AlGaN/AlN/GaN异质结界面处的极化电荷密度 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第三章 AlGaN/AlN/GaN HFETs中二维电子气电子体系的变温研究 | 第55-66页 |
| §3-1 AlGaN/AlN/GaN HFETs中的2DEG | 第55-61页 |
| 3-1-1 AlGaN/AlN/GaN HFETs中2DEG的形成机理 | 第55-56页 |
| 3-1-2 AlGaN/AlN/GaN HFETs的工作机理 | 第56页 |
| 3-1-3 温度对AlGaN/AlN/GaN HFETs中2DEG面密度的影响 | 第56-61页 |
| §3-2 温度对AlGaN/AlN/GaN HFETs中2DEG电子体系其它特征参数的影响 | 第61-64页 |
| 3-2-1 一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解 | 第61-62页 |
| 3-2-2 温度影响的结果与讨论 | 第62-64页 |
| §3-3 本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-66页 |
| 第四章 AlGaN/AlN/GaN HFETs中2DEG电子迁移率的变温研究 | 第66-91页 |
| §4-1 室温下AlGaN/AlN/GaN HFETs中2DEG电子迁移率的研究 | 第66-76页 |
| §4-2 AlGaN/AlN/GaN HFETs中2DEG电子迁移率的低温研究 | 第76-83页 |
| §4-3 不同器件结构的AlGaN/AlN/GaN HFETs中2DEG电子迁移率的高温研究 | 第83-89页 |
| §4-4 本章小结 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-91页 |
| 第五章 AlGaN/AlN/GaN HFETs中栅源间电阻R_s的高温研究 | 第91-107页 |
| §5-1 温度对栅源间电阻R_s的影响 | 第91-100页 |
| §5-2 不同器件结构的AlGaN/AlN/GaN HFETs中栅源间电阻R_s的高温研究 | 第100-104页 |
| §5-3 本章小结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-107页 |
| 第六章 结论 | 第107-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第111-113页 |
| Paper 1 | 第113-118页 |
| Paper 2 | 第118-130页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第130页 |
