| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-31页 |
| ·Ga-polar GaN基HEMT发展历程 | 第10-14页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体材料 | 第10-12页 |
| ·Ga-polar GaN基器件 | 第12-14页 |
| ·N-polar GaN基HEMT研究进展 | 第14-23页 |
| ·N-polar GaN材料与器件特性分析 | 第14-17页 |
| ·N-polar GaN材料特性分析 | 第14-16页 |
| ·N-polar GaN器件特性分析 | 第16-17页 |
| ·N-polar GaN材料生长及HEMT器件结构发展 | 第17-20页 |
| ·N-polar GaN材料生长 | 第17-18页 |
| ·N-polar GaN基HEMT器件结构发展 | 第18-20页 |
| ·N-polar GaN基HEMT器件性能提升 | 第20-23页 |
| ·N-polar GaN上欧姆接触研究进展 | 第23-28页 |
| ·N-polar GaN材料的制备 | 第23-25页 |
| ·N-polar GaN上欧姆接触的金属化方案 | 第25-26页 |
| ·N-polar GaN欧姆接触机理分析 | 第26-28页 |
| ·有待深入研究的问题 | 第28-29页 |
| ·本文研究内容与安排 | 第29-31页 |
| 第二章N-polar GaN/AlGaN异质结中 2DEG解析研究 | 第31-46页 |
| ·N-polar GaN/AlGaN异质结薛定谔方程和泊松方程自洽求解 | 第31-35页 |
| ·N-polar GaN/AlGaN异质结中GaN厚度对 2DEG的影响 | 第35-36页 |
| ·N-polar GaN/AlGaN异质结中AlGaN厚度及Al组分对 2DEG的影响 | 第36-39页 |
| ·N-polar GaN/AlGaN异质结中背势垒Si掺杂对 2DEG的影响 | 第39-41页 |
| ·N-polar GaN/AlN/AlGaN异质结中AlN插入层对 2DEG影响 | 第41-43页 |
| ·仿真结果与文献实验结果对比 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第三章 新型结构的N-polar GaN/AlGaN异质结设计与仿真 | 第46-63页 |
| ·新型结构的N-polar GaN/AlGaN异质结结构设计 | 第46-47页 |
| ·无AlN插入层的新型结构N-polar GaN/Al GaN异质结性能分析 | 第47-50页 |
| ·加入AlN插入层的新型结构N-polar GaN/AlGaN异质结性能分析 | 第50-54页 |
| ·N-polar GaN基HEMT准二维电荷传输模型仿真 | 第54-62页 |
| ·N-polar GaN基HEMT直流特性的准二维模型建立 | 第54-57页 |
| ·材料特性对N-polar Ga N基HEMT器件性能影响 | 第57-62页 |
| ·N-polar GaN基HEMT的材料特性对 2DEG面密度的影响 | 第57-58页 |
| ·N-polar GaN基HEMT的材料特性对器件直流性能影响 | 第58-61页 |
| ·新型结构的N-polar GaN基HEMT直流特性仿真 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第四章N-polar GaN上欧姆接触研究 | 第63-92页 |
| ·半导体上欧姆接触及传输线评估模型 | 第63-68页 |
| ·半导体上欧姆接触形成理论 | 第63-65页 |
| ·传输线模型理论分析 | 第65-68页 |
| ·N-polar GaN上欧姆接触制备工艺 | 第68-69页 |
| ·Ti/Al/Ni/Au金属体系中不同Al层厚度的欧姆接触分析 | 第69-81页 |
| ·dAl=120nm的N-polar GaN上欧姆接触 | 第70-73页 |
| ·dAl=100nm的N-polar GaN上欧姆接触 | 第73-75页 |
| ·dAl=80nm的N-polar GaN上欧姆接触 | 第75-77页 |
| ·dAl=60nm的N-polar GaN上欧姆接触 | 第77-81页 |
| ·Al层厚度分别为 120nm和 80nm的欧姆接触TEM测试及对比研究 | 第81-91页 |
| ·TEM测试结果分析 | 第81-88页 |
| ·N-polar GaN上欧姆接触形成机理分析 | 第88-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 第五章N-polar GaN基HEMT制备与器件性能分析 | 第92-105页 |
| ·N-polar GaN基HEMT缓冲层外延与表征 | 第92-97页 |
| ·N-polar GaN基HEMT缓冲层生长模型研究 | 第92-94页 |
| ·SiC衬底MOCVD生长N-polar GaN基HEMT缓冲层材料研究 | 第94-97页 |
| ·N-polar GaN基HEMT材料外延与表征 | 第97-99页 |
| ·N-polar GaN基HEMT器件制备工艺及测试分析 | 第99-104页 |
| ·N-polar GaN基HEMT器件制备工艺 | 第99-101页 |
| ·N-polar GaN基HEMT器件测试分析 | 第101-104页 |
| ·本章结论 | 第104-105页 |
| 第六章 结论 | 第105-108页 |
| 参考文献 | 第108-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
| 攻读博士学位期间完成的论文 | 第120页 |
