600V超结VDMOS器件的设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 超结VDMOS器件的研究意义 | 第8-9页 |
| 1.2 超结VDMOS器件的研究和发展 | 第9-11页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 超结VDMOS器件研究的理论基础 | 第13-39页 |
| 2.1 超结理论 | 第15-22页 |
| 2.2 VDMOS器件 | 第22-28页 |
| 2.3 超结VDMOS器件 | 第28-34页 |
| 2.4 终端技术 | 第34-38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 器件元胞模型的建立及元胞选定 | 第39-49页 |
| 3.1 PN层状叠加结构 | 第39-45页 |
| 3.2 圆柱PN结结构 | 第45-47页 |
| 3.3 元胞的选择 | 第47-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 600V超结VDMOS器件元胞的仿真 | 第49-70页 |
| 4.1 两种元胞结构比较 | 第49-60页 |
| 4.1.1 P环绕N型结构 | 第50-56页 |
| 4.1.2 N环绕P型结构 | 第56-60页 |
| 4.2 超结元胞内区域半径的影响 | 第60-64页 |
| 4.3 超结区域掺杂容差的影响 | 第64-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 600V超结器件终端的设计与仿真 | 第70-76页 |
| 5.1 超结终端结构 | 第70-71页 |
| 5.2 超结终端仿真 | 第71-75页 |
| 5.3 本章小结 | 第75-76页 |
| 第六章 总结 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第80-81页 |
