| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| ·引言 | 第11-14页 |
| ·应变硅技术 | 第14-18页 |
| ·Ge基晶体管 | 第18-21页 |
| ·本论文的主要研究工作 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-27页 |
| 第二章 应变硅及SOI器件的可靠性 | 第27-61页 |
| ·晶体管可靠性问题 | 第27-30页 |
| ·应变对p-n结正向电流的影响 | 第30-34页 |
| ·应变p-n结 | 第30-31页 |
| ·应变下电流及理想因子 | 第31-34页 |
| ·小结 | 第34页 |
| ·应变对MOS电容隧穿电流的影响 | 第34-39页 |
| ·晶体管隧穿电流 | 第34-35页 |
| ·应变对隧穿电流的影响 | 第35-39页 |
| ·小结 | 第39页 |
| ·应变对pMOSFET NBTI特性的影响 | 第39-48页 |
| ·pMOSFET的NBTI | 第39-42页 |
| ·应变对NBTI特性的影响 | 第42-48页 |
| ·小结 | 第48页 |
| ·沟道长度对超短沟道SOI MOSFET BTI特性的影响 | 第48-53页 |
| ·短沟道SOI MOSFET | 第48-49页 |
| ·BTI特性随沟道长度的变化 | 第49-53页 |
| ·小结 | 第53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 第三章 高迁移率MOSFET的输运特性 | 第61-105页 |
| ·MOSFET的载流子迁移率 | 第61-65页 |
| ·Ge基nMOSFET中电子散射机制 | 第65-91页 |
| ·Ge能带结构 | 第65-67页 |
| ·Ge基nMOSFET电子迁移率计算 | 第67-80页 |
| ·Ge nMOSFET电子迁移率计算及测量 | 第80-90页 |
| ·小结 | 第90-91页 |
| ·SiGe量子阱pMOSFET中的合金散射 | 第91-99页 |
| ·SiGe量子阱pMOSFET | 第91-93页 |
| ·空穴迁移率提取及分析 | 第93-99页 |
| ·小结 | 第99页 |
| ·本章小结 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-105页 |
| 第四章 采用新型器件结构的Ge基晶体管 | 第105-137页 |
| ·新型晶体管结构 | 第105-108页 |
| ·GeOI MOSFETs中的载流子迁移率以及背栅压的影响 | 第108-117页 |
| ·绝缘层上的Ge基晶体管 | 第108-112页 |
| ·载流子迁移率 | 第112-117页 |
| ·小结 | 第117页 |
| ·超短沟道Ge NW nMOSFET中的RTN及低频噪声 | 第117-130页 |
| ·背景及实验 | 第117-121页 |
| ·RTN基低频噪声 | 第121-130页 |
| ·小结 | 第130页 |
| ·本章小结 | 第130-132页 |
| 参考文献 | 第132-137页 |
| 第五章 总结与展望 | 第137-140页 |
| ·论文工作总结 | 第137-139页 |
| ·工作展望 | 第139-140页 |
| 致谢 | 第140-141页 |
| 发表论文 | 第141-144页 |
| 期刊 | 第141-142页 |
| 国际会议 | 第142-144页 |
