| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 半导体器件的剂量率辐射模型国内外研究现状 | 第9-12页 |
| 1.3 本文建模方法概述 | 第12-13页 |
| 1.4 本文章节安排 | 第13-14页 |
| 第二章 PN结光电流响应解析解 | 第14-26页 |
| 2.1 剂量率辐射下硅材料中非平衡电子空穴对产生机理 | 第14-15页 |
| 2.2 双极导电的PN结中载流子运动分析 | 第15-17页 |
| 2.3 解析解计算推导 | 第17-26页 |
| 2.3.1 非耗尽区光电流响应 | 第18-20页 |
| 2.3.2 耗尽区光电流响应 | 第20-22页 |
| 2.3.3 总光电流响应 | 第22-26页 |
| 第三章 PN结剂量率辐射模型 | 第26-33页 |
| 3.1 解析解中各项参数对光电流响应的影响 | 第26-31页 |
| 3.1.1 剂量率对光电流响应的影响 | 第26页 |
| 3.1.2 器件尺寸对于光电流响应的影响 | 第26-27页 |
| 3.1.3 掺杂浓度、少子寿命、扩散系数对峰值光电流的影响 | 第27-29页 |
| 3.1.4 电场强度对峰值光电流的影响 | 第29-31页 |
| 3.2 峰值光电流的计算 | 第31-32页 |
| 3.3 模型计算与TCAD仿真对比 | 第32-33页 |
| 第四章 SOIMOS晶体管剂量率辐射模型 | 第33-58页 |
| 4.1 PN结剂量率辐射模型与SOI MOS晶体管剂量率辐射模型关系 | 第33-35页 |
| 4.2 器件掺杂方式与光电流的大小的关系 | 第35-39页 |
| 4.2.1 掺杂浓度对光电流的影响 | 第35-37页 |
| 4.2.2 不同工艺对应的掺杂方式对光电流的影响 | 第37-39页 |
| 4.3 器件几何尺寸与光电流大小关系 | 第39-51页 |
| 4.3.1 埋氧层与衬底尺寸对光电流的影响 | 第40-41页 |
| 4.3.2 体接触位置对源漏两端光电流的影响 | 第41-42页 |
| 4.3.3 源区与漏区尺寸对光电流的影响 | 第42-44页 |
| 4.3.4 体区尺寸对光电流的影响 | 第44-48页 |
| 4.3.5 无偏置电压条件下器件各端光电流的计算 | 第48-50页 |
| 4.3.6 Honeywell专利模型与本文模型对比 | 第50-51页 |
| 4.4 外加偏置电压与器件光电流大小的关系 | 第51-58页 |
| 4.4.1 栅极电压对总的光电流的影响 | 第51-53页 |
| 4.4.2 沟道寄生PN结对源漏光电流的分配 | 第53-55页 |
| 4.4.3 器件尺寸对源漏光电流分配现象的影响 | 第55-56页 |
| 4.4.4 有偏置电压条件下各端光电流的计算 | 第56-58页 |
| 第五章 SOIMOS晶体管剂量率辐射实验 | 第58-61页 |
| 5.1 实验方法 | 第58-60页 |
| 5.2 实验结果与分析 | 第60-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 6.1 全文总结 | 第61页 |
| 6.2 未来展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 附录A 研究生在校期间发表学术论文情况 | 第68页 |
