| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 符号对照表 | 第13-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-28页 |
| ·单轴应变Si技术研究现状概述 | 第18-24页 |
| ·Si基MOSFET的发展及限制 | 第18-20页 |
| ·单轴应变Si技术研究现状 | 第20-24页 |
| ·单轴应变Si NMOSFET模型的研究现状及存在的问题 | 第24-25页 |
| ·论文的研究目的与主要工作 | 第25-28页 |
| 第二章 单轴应变Si NMOSFET直流特性模型研究 | 第28-56页 |
| ·单轴应变Si NMOSFET器件结构及等效电路模型 | 第28-29页 |
| ·载流子迁移率模型 | 第29-33页 |
| ·阈值电压模型 | 第33-37页 |
| ·阈值电压与应力强度的关系 | 第33-34页 |
| ·短沟效应 | 第34-35页 |
| ·DIBL效应 | 第35-36页 |
| ·窄沟效应 | 第36-37页 |
| ·衬偏效应 | 第37页 |
| ·源漏电流模型 | 第37-46页 |
| ·反型及饱和区电流模型 | 第40-42页 |
| ·亚阈区电流模型 | 第42-43页 |
| ·平滑函数 | 第43-46页 |
| ·小尺寸模型 | 第46-50页 |
| ·饱和区沟道长度调制效应 | 第46-49页 |
| ·载流子速度饱和 | 第49-50页 |
| ·结果与分析 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第三章 单轴应变Si NMOSFET瞬态及交流特性模型研究 | 第56-74页 |
| ·单轴应变Si NMOSFET电荷模型 | 第56-60页 |
| ·积累区电荷模型 | 第56-57页 |
| ·耗尽区与反型区电荷模型 | 第57-59页 |
| ·亚阈区电荷模型 | 第59页 |
| ·电荷模型的平滑函数 | 第59-60页 |
| ·单轴应变Si NMOSFET电容特性模型 | 第60-62页 |
| ·寄生元件模型 | 第62-63页 |
| ·衬底结电流和电容模型 | 第63-65页 |
| ·模型的温度效应 | 第65-69页 |
| ·结果与分析 | 第69-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 第四章 单轴应变Si NMOSFET栅电流模型研究 | 第74-88页 |
| ·热载流子栅电流模型 | 第74-77页 |
| ·载流子电荷面密度 | 第75页 |
| ·注入效率 | 第75-76页 |
| ·溢出几率 | 第76页 |
| ·载流子在栅和栅介质界面的平均速度 | 第76页 |
| ·热载流子栅电流模型 | 第76-77页 |
| ·热载流子栅电流与经时击穿（TDDB）关系分析 | 第77页 |
| ·栅隧穿电流模型 | 第77-82页 |
| ·平均碰撞频率 | 第79-80页 |
| ·隧穿几率 | 第80-81页 |
| ·栅隧穿电流模型 | 第81-82页 |
| ·结果与分析 | 第82-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第五章 单轴应变Si NMOSFET模拟技术研究 | 第88-100页 |
| ·器件工艺实现与模型参数提取 | 第88-94页 |
| ·器件工艺实现 | 第88-89页 |
| ·器件测试 | 第89-90页 |
| ·模型参数提取 | 第90-94页 |
| ·单轴应变Si NMOSFET模型验证及电路仿真技术 | 第94-99页 |
| ·基于verilogA语言的模型嵌入技术 | 第94-96页 |
| ·单轴应变Si NMOSFET器件仿真验证 | 第96-98页 |
| ·环形振荡器电路仿真验证 | 第98-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 第六章 总结与展望 | 第100-102页 |
| ·论文的主要工作与成果 | 第100-101页 |
| ·对进一步研究工作的考虑 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 作者简介 | 第118-120页 |
