| 致谢 | 第5-7页 |
| 序言 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-11页 |
| Abstract | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第15-19页 |
| 1.1 项目的意义 | 第16页 |
| 1.2 项目的阶段发展思路 | 第16-17页 |
| 1.3 项目的先进性,难点和评判标准 | 第17-18页 |
| 1.4 项目预期与日程 | 第18-19页 |
| 第二章 氮化镓半导体概论 | 第19-38页 |
| 2.1 氮化镓材料概论 | 第20-24页 |
| 2.2 铝氮化镓/氮化镓异质结结构与二维电子气 | 第24-27页 |
| 2.3 氮化镓基器件国内外研究与行业现状 | 第27-33页 |
| 2.4 氮化镓基半导体器件当前技术难点 | 第33-34页 |
| 2.5 氮化镓基半导体器件的发展方向 | 第34-38页 |
| 第三章 高压氮化镓器件的二维电场优化 | 第38-70页 |
| 3.1 高压氮化镓器件的电场优化背景 | 第39-40页 |
| 3.2 Silvaco-Atlas仿真软件介绍 | 第40-41页 |
| 3.3 氮化镓异质结半导体器件的仿真设计 | 第41-47页 |
| 3.4 氮化镓器件的仿真计算 | 第47-52页 |
| 3.5 氮化镓器件的一维电场调制 | 第52-60页 |
| 3.6 氮化镓器件的二维电场调制 | 第60-64页 |
| 3.7 二维电场调制技术的优化 | 第64-66页 |
| 3.8 二维电场调制技术的技术验证 | 第66-69页 |
| 3.9 小结 | 第69-70页 |
| 第四章 高压氮化镓功率器件的结构与工艺 | 第70-89页 |
| 4.1 高压氮化镓器件的工艺优化背景 | 第71-73页 |
| 4.2 混合金属漏极氮化镓HEMT器件 | 第73-76页 |
| 4.3 混合金属漏极氮化镓HEMT器件的耐压测试准备 | 第76-79页 |
| 4.4 混合金属漏极氮化镓HEMT器件的耐压测试结果 | 第79-80页 |
| 4.5 混合金属漏极氮化镓HEMT器件的泄漏电流抑制机理分析 | 第80-87页 |
| 4.6 混合金属漏极氮化镓HEMT器件的输出特性优化效果 | 第87-88页 |
| 4.7 小结 | 第88-89页 |
| 第五章 基于热氧化工艺的硅基氮化镓增强型器件 | 第89-130页 |
| 5.1 增强型氮化镓器件的研究意义 | 第90页 |
| 5.2 增强型氮化镓器件的研究背景 | 第90-97页 |
| 5.3 热氧化工艺的研究现状 | 第97-99页 |
| 5.4 硅基氮化镓热氧化MOS-HEMT的工艺流程 | 第99-103页 |
| 5.5 硅基氮化镓热氧化栅极凹槽刻蚀 | 第103-107页 |
| 5.6 热氧化栅极凹槽工艺的核心技术 | 第107-116页 |
| 5.7 热氧化栅极凹槽刻蚀的效果验证 | 第116-117页 |
| 5.8 热氧化增强型氮化镓MOS-HEMT的测试与评估 | 第117-120页 |
| 5.9 热氧化增强型氮化镓MOS-HEMT的工艺优化 | 第120-128页 |
| 5.10 本章小结与展望 | 第128-130页 |
| 第六章 基于单步湿法腐蚀工艺的硅基氮化镓增强型器件 | 第130-144页 |
| 6.1 湿法腐蚀工艺的研究意义 | 第131页 |
| 6.2 湿法腐蚀工艺的研究背景 | 第131-133页 |
| 6.3 采用单步湿法腐蚀工艺的MOS-HEMT的工艺流程 | 第133-136页 |
| 6.4 单步湿法腐蚀工艺的核心工艺研究 | 第136-138页 |
| 6.5 单步湿法腐蚀工艺的验证 | 第138-140页 |
| 6.6 采用单步湿法腐蚀工艺的MOS-HEMT器件特性 | 第140-143页 |
| 6.7 小结 | 第143-144页 |
| 第七章 总结与展望 | 第144-147页 |
| 7.1 论文工作总结 | 第144-145页 |
| 7.2 今后工作展望 | 第145-147页 |
| 攻读博士学位期间论文与专利成果 | 第147-149页 |
| 参考文献 | 第149-157页 |
